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Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Hoan
モデル番号:	HACC222S50V1000
MOQ:	10個
支払い条件:	L/C、D/A、D/P、T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

陝西省、中国

証明:

ISO 9001:2015, RoHS

チップ寸法:

1.00×1.00×0.15mm

上部のメタライゼーション:

TiW (100nm) + Au (4.0μm以上)

裏面メタライゼーション:

TiW-Pt-Au、Au 2.0μm以上

取付タイプ:

共晶ダイアタッチ/ワイヤーボンディング可能

動作温度:

-55℃～+125℃

カスタマイズ:

カスタム静電容量、ダイ形状、メタライゼーション、およびパッキング

ハイライト:

Self-Heating MOS Capacitor 2200 pF

Thermal Smoothing Capacitor 50V

Single Layer Chip Capacitor RF Power Amplifiers

製品の説明

Self-Heating Thermal Redistribution MOS Capacitor — HACC222S50V1000 Definition: The HACC222S50V1000 is a 2200 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. A 1.00 × 1.00 × 0.15 mm chip, an ultra-thick 4.0 µm gold top electrode, and a fully metallized TiW-Pt-Au backside create a low-thermal-resistance path that redistributes and smooths self-generated heat in RF power amplifier modules. Quick answer — at a

札:

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ