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Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC222S50V1000
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensões do chip:

1,00 × 1,00 × 0,15mm

Metalização Superior:

TiW (100 nm) + Au (4,0 µm min)

Metalização traseira:

TiW-Pt-Au, Au 2,0 µm min

Tipo de montagem:

Anexação de matriz eutética / ligação por fio

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

Personalização:

Capacitância personalizada, geometria da matriz, metalização e embalagem

Destacar:

Self-Heating MOS Capacitor 2200 pF

Thermal Smoothing Capacitor 50V

Single Layer Chip Capacitor RF Power Amplifiers

Descrição do produto

Self-Heating Thermal Redistribution MOS Capacitor — HACC222S50V1000 Definition: The HACC222S50V1000 is a 2200 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. A 1.00 × 1.00 × 0.15 mm chip, an ultra-thick 4.0 µm gold top electrode, and a fully metallized TiW-Pt-Au backside create a low-thermal-resistance path that redistributes and smooths self-generated heat in RF power amplifier modules. Quick answer — at a

Etiquetas:

Capacitores MOS de Prototipagem Rápida, Personalização Flexível, Capacitor de 10 pF, Cadeia de Suprimentos Ecológica, Chip em Conformidade

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Capacitor de camada única

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