Capacitador de respuesta Q plana con baja ESR con absorción dieléctrica ultrabaja Eutectic Reverse Ceramic Chip Capacitor

Capacitador MOS personalizado Eutectic Metallización lateral plana Respuesta Q Ultra baja absorción dieléctrica

HACC-CUSTOM-BM: condensador MOS optimizado por eutectismo con respuesta Q plana y absorción dieléctrica ultrabaja

Metalización de la parte posterior personalizada para soldadura eutética

El HACC-CUSTOM-BM ofrece a los clientes las pilas de metalización posterior que pueden seleccionar, optimizadas para los procesos de adhesión eutéctica.seleccionado en función de su presupuesto térmico de montaje y requisitos de fiabilidad:

• Se aplicarán las siguientes medidas:Temperatura eutética 280 °C. Estándar de la industria para circuitos híbridos de alta fiabilidad. TiW-Ni-Au en la parte posterior con preforma AuSn de 3-15 μm. Resistencia a la cizalladura > 2,5 kg/mm2 en una almohadilla de oro.
• Se aplicará el método siguiente:Temperatura eutética 356°C. Mayor presupuesto térmico para los procesos de reflujo posteriores. Baja tasa de oxidación durante el almacenamiento.
• Se incluyen los siguientes elementos:Temperatura eutética 363°C. Espacio térmico máximo para flujos de ensamblaje de múltiples pasos. Preferido para el acoplamiento de silicio sobre silicio donde la coincidencia CTE es crítica.

Todas las pilas traseras incluyen una barrera de difusión TiW (2000Å) para evitar la interdifusión oro-silício, y una capa de barrera Ni (500-2000Å) para soldadura AuSn para evitar el consumo de Sn por la capa Au.La humedecibilidad de la soldadura supera el 95% de la cobertura de la superficie, con un desagüe de rayos X verificado por debajo del 5% ¢ garantizando una conductividad térmica y eléctrica uniforme en toda la interfaz de sujeción.

Respuesta de frecuencia plana Q diseñada

Los condensadores MOS estándar muestran un factor Q que varía significativamente con la frecuencia - ¿Cuál es el problema?El HACC-CUSTOM-BM ofrece una respuesta Q plana diseñada:Q se mantiene fijo dentro del ±5% en una banda especificada por el cliente de 100 MHz a 10 GHz, con una reducción del Q a < 10% por década más allá de la meseta.Esto se logra mediante el dopaje de sustrato a medida (control de la dependencia de frecuencia de la resistencia de la serie) y la optimización de la geometría del electrodo (control del efecto de la piel y del hacinamiento de la corriente)El resultado es un condensador cuyo Q es predecible a través de toda su banda operativa ∙ sin picos de Q, sin acantilados de Q, y sin sorpresas durante las pruebas de prototipos.

Absorción dieléctrica ultrabaja y almacenamiento de carga cero

Absorción dieléctrica (DA) ′′ el "efecto memoria" en el que un condensador retiene carga residual después de la descarga ′′ es un parámetro crítico para circuitos de muestra y retención, integradores de precisión,y amplificadores sensibles a la carga en los que la carga retenida debe representar con precisión el voltaje muestreadoEl dieléctrico de SiO2 cultivado térmicamente en HACC-CUSTOM-BM alcanza un DA < 0,05% a 1 kHz y < 0,02% a 1 MHz, uno de los más bajos de todas las tecnologías de condensadores.Combinado con salida piezoeléctrica cero (sin acoplamiento mecánico-eléctrico), a diferencia de los MLCC con dieléctricos de titanato de bario) y sensibilidad microfónica cero, el HACC-CUSTOM-BM es ideal para aplicaciones analógicas de precisión donde la integridad de la carga es primordial.

Especificaciones clave

Aplicaciones

• Las líneas de ensamblaje de circuitos híbridos eutéticos ¢ selección posterior de AuSn/AuGe/AuSi por presupuesto térmico del proceso
• Redes de coincidencia de RF de banda ancha
• Circuitos de muestreo y retención de precisión DA < 0,05% para la integridad de la carga, salida piezoeléctrica cero
• Preamplificadores sensibles a la carga

Póngase en contacto con nosotros con sus preferencias de aleación eutéctica, perfil Q objetivo y requisitos de absorción dieléctrica.