Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХАКС222С50В1000
минимальный заказ: 10 шт.
Условия оплаты: Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015, RoHS
Размеры чипа:
1,00 × 1,00 × 0,15 мм
Топ Металлизация:
TiW (100 нм) + Au (4,0 мкм мин)
Задняя металлизация:
TiW-Pt-Au, Au 2,0 мкм мин.
Тип монтажа:
Эвтектическая матрица для крепления/склеивания проволокой
Рабочая температура:
от -55°С до +125°С
Кастомизация:
Пользовательская емкость, геометрия кристалла, металлизация и упаковка
Выделить:

Self-Heating MOS Capacitor 2200 pF

,

Thermal Smoothing Capacitor 50V

,

Single Layer Chip Capacitor RF Power Amplifiers

Характер продукции
Self-Heating Thermal Redistribution MOS Capacitor — HACC222S50V1000 Definition: The HACC222S50V1000 is a 2200 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. A 1.00 × 1.00 × 0.15 mm chip, an ultra-thick 4.0 µm gold top electrode, and a fully metallized TiW-Pt-Au backside create a low-thermal-resistance path that redistributes and smooths self-generated heat in RF power amplifier modules. Quick answer — at a