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Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: Negoziabile USD
Availability: InStock

Marchio:	Hoan
Numero di modello:	HACC222S50V1000
MOQ:	10 pezzi
Termini di pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Shaanxi, Cina

Certificazione:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensioni del chip:

1,00×1,00×0,15mm

Metallizzazione superiore:

TiW (100 nm) + Au (4,0 µm/min)

Metallizzazione del retro:

TiW-Pt-Au, Au 2,0 µm min

Tipo di montaggio:

Attacco per matrice eutettica/incollabile con filo

Temperatura operativa:

Da -55°C a +125°C

Personalizzazione:

Capacità personalizzata, geometria dello stampo, metallizzazione e imballaggio

Evidenziare:

Self-Heating MOS Capacitor 2200 pF

Thermal Smoothing Capacitor 50V

Single Layer Chip Capacitor RF Power Amplifiers

Descrizione di prodotto

Self-Heating Thermal Redistribution MOS Capacitor — HACC222S50V1000 Definition: The HACC222S50V1000 is a 2200 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. A 1.00 × 1.00 × 0.15 mm chip, an ultra-thick 4.0 µm gold top electrode, and a fully metallized TiW-Pt-Au backside create a low-thermal-resistance path that redistributes and smooths self-generated heat in RF power amplifier modules. Quick answer — at a

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