उत्पादों का विवरण

घर उत्पादों

Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: बातचीत योग्य USD
Availability: InStock

ब्रांड का नाम:	Hoan
मॉडल नंबर:	HACC222S50V1000
MOQ:	10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें:	एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद का वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

शानक्सी, चीन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015, RoHS

चिप आयाम:

1.00 × 1.00 × 0.15 मिमी

शीर्ष धातुकरण:

TiW (100nm) + Au (4.0µm मिनट)

पीछे की ओर धातुकरण:

TiW-Pt-Au, Au 2.0μm मिनट

माउन्टिंग का प्रकार:

यूटेक्टिक डाई अटैच / वायर बॉन्डेबल

परिचालन तापमान:

-55°C से +125°C

अनुकूलन:

कस्टम कैपेसिटेंस, डाई ज्यामिति, धातुकरण, और पैकिंग

प्रमुखता देना:

Self-Heating MOS Capacitor 2200 pF

Thermal Smoothing Capacitor 50V

Single Layer Chip Capacitor RF Power Amplifiers

उत्पाद का वर्णन

Self-Heating Thermal Redistribution MOS Capacitor — HACC222S50V1000 Definition: The HACC222S50V1000 is a 2200 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. A 1.00 × 1.00 × 0.15 mm chip, an ultra-thick 4.0 µm gold top electrode, and a fully metallized TiW-Pt-Au backside create a low-thermal-resistance path that redistributes and smooths self-generated heat in RF power amplifier modules. Quick answer — at a

टैग:

शंक्वाकार प्रेरक

ब्रॉडबैंड इंडक्टर्स

एयर कोर प्रारंभ करनेवाला

वायु कुंडल प्रारंभ करनेवाला

एमओएस कैपेसिटर