تفاصيل المنتجات

المنزل منتجات

Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: قابل للتفاوض USD
Availability: InStock

اسم العلامة التجارية:	Hoan
رقم الموديل:	HACC222S50V1000
موك:	10 قطع
شروط الدفع:	خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنشي، الصين

إصدار الشهادات:

ISO 9001:2015, RoHS

أبعاد الشريحة:

1.00 × 1.00 × 0.15 ملم

أعلى المعدنة:

TiW (100 نانومتر) + Au (4.0 ميكرومتر دقيقة)

تعدين المؤخر:

TiW-Pt-Au، Au 2.0 ميكرومتر دقيقة

نوع التركيب:

مرفق قالب سهل الانصهار/سلك قابل للربط

درجة حرارة التشغيل:

-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية

التخصيص:

السعة المخصصة، وهندسة القالب، والتعدين، والتعبئة

إبراز:

Self-Heating MOS Capacitor 2200 pF

Thermal Smoothing Capacitor 50V

Single Layer Chip Capacitor RF Power Amplifiers

وصف المنتج

Self-Heating Thermal Redistribution MOS Capacitor — HACC222S50V1000 Definition: The HACC222S50V1000 is a 2200 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. A 1.00 × 1.00 × 0.15 mm chip, an ultra-thick 4.0 µm gold top electrode, and a fully metallized TiW-Pt-Au backside create a low-thermal-resistance path that redistributes and smooths self-generated heat in RF power amplifier modules. Quick answer — at a

العلامات:

محث مخروطي

محاثات النطاق العريض

مغو الهواء الأساسية

مغو لفائف الهواء

مكثفات MOS