Detalles de los productos

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Condensadores MOS
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Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HACC106S30V330
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: LC, D/A, D/P, T/T
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015, RoHS
Metalización superior:
Au, 2,5 um mín.
Metalización trasera:
Au, 1,0 um mín.
Temperatura de funcionamiento:
-55°C a +125°C
RoHS:
Cumple con la UE 2015/863
Clase ESD:
Clase 0 (HBM)
Tipo de montaje:
Fijación de matriz eutéctica / adherible con alambre
Resaltar:

Self-Aligned MOS Capacitor 330pF 30V

,

Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor

,

Dispersion Free Chip MOS Capacitor

Descripción de producto
Self-Aligned Sub-Micron Top Metal MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Summary: The HACC106S30V330 is a 330 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a self-aligned sub-micron top metal electrode and a dispersion-free RF response. It is intended for compact millimetre-wave circuits that need a fine electrode geometry and a stable capacitance value. Overview The HACC106S30V330 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2