تفاصيل المنتجات

المنزل منتجات

Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Name: Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC106S30V330
Price: قابل للتفاوض USD
Availability: InStock

اسم العلامة التجارية:	Hoan
رقم الموديل:	HACC106S30V330
موك:	10 قطع
شروط الدفع:	خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنشي، الصين

إصدار الشهادات:

ISO 9001:2015, RoHS

أعلى المعدنة:

الاتحاد الأفريقي، 2.5 أم دقيقة

تعدين المؤخر:

الاتحاد الأفريقي، 1.0 أم دقيقة

درجة حرارة التشغيل:

-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية

بنفايات:

متوافقة مع معايير الاتحاد الأوروبي 2015/863

فئة البيئة والتنمية المستدامة:

الفئة 0 (HBM)

نوع التركيب:

سلك قابل للربط / مرفق بالقالب سهل الانصهار

إبراز:

Self-Aligned MOS Capacitor 330pF 30V

Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor

Dispersion Free Chip MOS Capacitor

وصف المنتج

Self-Aligned Sub-Micron Top Metal MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Summary: The HACC106S30V330 is a 330 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a self-aligned sub-micron top metal electrode and a dispersion-free RF response. It is intended for compact millimetre-wave circuits that need a fine electrode geometry and a stable capacitance value. Overview The HACC106S30V330 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

العلامات:

محث مخروطي

محاثات النطاق العريض

مغو الهواء الأساسية

مغو لفائف الهواء

مكثفات MOS