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Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Name: Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC106S30V330
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC106S30V330
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Metalização Superior:

Au, 2,5 um min

Metalização traseira:

Au, 1,0 um min

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

RoHS:

Compatível com UE 2015/863

Classe ESD:

Classe 0 (HBM)

Tipo de montagem:

Fixação de matriz eutética/fio ligável

Destacar:

Self-Aligned MOS Capacitor 330pF 30V

Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor

Dispersion Free Chip MOS Capacitor

Descrição do produto

Self-Aligned Sub-Micron Top Metal MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Summary: The HACC106S30V330 is a 330 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a self-aligned sub-micron top metal electrode and a dispersion-free RF response. It is intended for compact millimetre-wave circuits that need a fine electrode geometry and a stable capacitance value. Overview The HACC106S30V330 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

Etiquetas:

Capacitores MOS de Prototipagem Rápida, Personalização Flexível, Capacitor de 10 pF, Cadeia de Suprimentos Ecológica, Chip em Conformidade

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