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dettagli dei prodotti

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Condensatori MOS
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Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Marchio: Hoan
Numero di modello: HACC106S30V330
MOQ: 10 pezzi
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T
Informazioni dettagliate
Descrizione di prodotto
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shaanxi, Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015, RoHS
Metallizzazione superiore:
Au, 2,5 um min
Metallizzazione del retro:
Au, 1,0 um min
Temperatura operativa:
Da -55°C a +125°C
RoHS:
Conforme UE 2015/863
Classe ESD:
Classe 0 (HBM)
Tipo di montaggio:
Fissaggio a filo/matrice eutettica
Evidenziare:

Self-Aligned MOS Capacitor 330pF 30V

,

Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor

,

Dispersion Free Chip MOS Capacitor

Descrizione di prodotto
Self-Aligned Sub-Micron Top Metal MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Summary: The HACC106S30V330 is a 330 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a self-aligned sub-micron top metal electrode and a dispersion-free RF response. It is intended for compact millimetre-wave circuits that need a fine electrode geometry and a stable capacitance value. Overview The HACC106S30V330 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2
Etichette: 

Capacitore SLC  

Capacitore legato a filo  

Capacitore ceramico a uno strato

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