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Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Name: Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC106S30V330
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	Hoan
모델 번호:	HACC106S30V330
MOQ:	10개
지불 조건:	L/C,D/A,D/P,T/T

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국 산시성

인증:

ISO 9001:2015, RoHS

최고 금속화:

Au, 최소 2.5um

후면 금속화:

Au, 1.0um 최소

작동 온도:

-55°C ~ +125°C

RoHS 규제:

EU 2015/863 준수

ESD 클래스:

클래스 0(HBM)

장착 유형:

와이어 본딩 가능/공융 다이 부착

강조하다:

Self-Aligned MOS Capacitor 330pF 30V

Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor

Dispersion Free Chip MOS Capacitor

제품 설명

Self-Aligned Sub-Micron Top Metal MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Summary: The HACC106S30V330 is a 330 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a self-aligned sub-micron top metal electrode and a dispersion-free RF response. It is intended for compact millimetre-wave circuits that need a fine electrode geometry and a stable capacitance value. Overview The HACC106S30V330 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

태그:

원추형 인덕터

광대역 인덕터

에어 코어 인덕터

공기 코일 인덕터

MOS 콘덴시터