chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Name: Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC106S30V330
Price: Có thể thương lượng USD
Availability: InStock

Tên thương hiệu:	Hoan
Số mô hình:	HACC106S30V330
MOQ:	10 miếng
Điều khoản thanh toán:	L/C,D/A,D/P,T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Thiểm Tây, Trung Quốc

Chứng nhận:

ISO 9001:2015, RoHS

Kim loại hóa hàng đầu:

Au, 2,5 um phút

Kim loại hóa mặt sau:

Au, 1,0 um phút

Nhiệt độ hoạt động:

-55°C đến +125°C

RoHS:

Tuân thủ EU 2015/863

Lớp ESD:

Lớp 0 (HBM)

Kiểu lắp:

Dây có thể liên kết / Đính kèm khuôn Eutectic

Làm nổi bật:

Self-Aligned MOS Capacitor 330pF 30V

Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor

Dispersion Free Chip MOS Capacitor

Mô tả sản phẩm

Self-Aligned Sub-Micron Top Metal MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Summary: The HACC106S30V330 is a 330 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a self-aligned sub-micron top metal electrode and a dispersion-free RF response. It is intended for compact millimetre-wave circuits that need a fine electrode geometry and a stable capacitance value. Overview The HACC106S30V330 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

Các thẻ:

Cuộn cảm hình nón

Cuộn cảm băng thông rộng

Cuộn cảm lõi không khí

cuộn cảm cuộn dây không khí

Capacitor MOS