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Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Name: Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC106S30V330
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Hoan
モデル番号:	HACC106S30V330
MOQ:	10個
支払い条件:	L/C、D/A、D/P、T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

陝西省、中国

証明:

ISO 9001:2015, RoHS

上部のメタライゼーション:

Au、2.5um以上

裏面メタライゼーション:

Au、1.0um以上

動作温度:

-55℃～+125℃

RoHS:

EU 2015/863準拠

ESDクラス:

クラス0 (HBM)

取付タイプ:

ワイヤーボンディング可能/共晶ダイアタッチ可能

ハイライト:

Self-Aligned MOS Capacitor 330pF 30V

Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor

Dispersion Free Chip MOS Capacitor

製品の説明

Self-Aligned Sub-Micron Top Metal MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Summary: The HACC106S30V330 is a 330 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a self-aligned sub-micron top metal electrode and a dispersion-free RF response. It is intended for compact millimetre-wave circuits that need a fine electrode geometry and a stable capacitance value. Overview The HACC106S30V330 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

札:

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ