szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC106S30V330
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: L/C, D/A, D/P, T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Najlepsza metalizacja:
Au, 2,5 um min
Metalizacja z tyłu:
Au, 1,0 um min
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
RoHS:
Zgodny z UE 2015/863
Klasa ESD:
Klasa 0 (HBM)
Typ mocowania:
Mocowanie drutu / matrycy eutektycznej
Podkreślić:

Self-Aligned MOS Capacitor 330pF 30V

,

Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor

,

Dispersion Free Chip MOS Capacitor

Opis produktu
Self-Aligned Sub-Micron Top Metal MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Summary: The HACC106S30V330 is a 330 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a self-aligned sub-micron top metal electrode and a dispersion-free RF response. It is intended for compact millimetre-wave circuits that need a fine electrode geometry and a stable capacitance value. Overview The HACC106S30V330 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2