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Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Name: Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC106S30V330
Price: बातचीत योग्य USD
Availability: InStock

ब्रांड का नाम:	Hoan
मॉडल नंबर:	HACC106S30V330
MOQ:	10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें:	एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद का वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

शानक्सी, चीन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015, RoHS

शीर्ष धातुकरण:

एयू, 2.5 उम मिनट

पीछे की ओर धातुकरण:

एयू, 1.0 उम मिनट

परिचालन तापमान:

-55°C से +125°C

RoHS:

ईयू 2015/863 के अनुरूप

ईएसडी क्लास:

कक्षा 0 (एचबीएम)

माउन्टिंग का प्रकार:

वायर बॉन्डेबल / यूटेक्टिक डाई अटैच

प्रमुखता देना:

Self-Aligned MOS Capacitor 330pF 30V

Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor

Dispersion Free Chip MOS Capacitor

उत्पाद का वर्णन

Self-Aligned Sub-Micron Top Metal MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Summary: The HACC106S30V330 is a 330 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a self-aligned sub-micron top metal electrode and a dispersion-free RF response. It is intended for compact millimetre-wave circuits that need a fine electrode geometry and a stable capacitance value. Overview The HACC106S30V330 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2

टैग:

शंक्वाकार प्रेरक

ब्रॉडबैंड इंडक्टर्स

एयर कोर प्रारंभ करनेवाला

वायु कुंडल प्रारंभ करनेवाला

एमओएस कैपेसिटर