λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC106S30V330
MOQ: 10 τεμάχια
Όροι πληρωμής: L/C,D/A,D/P,T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS
Κορυφαία Μεταλλοποίηση:
Au, 2,5 μμ min
Μεταλλοποίηση πίσω πλευράς:
Au, 1,0 μμ min
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55°C έως +125°C
RoHS:
Συμβατό με την ΕΕ 2015/863
Κατηγορία ESD:
Κατηγορία 0 (HBM)
Τύπος τοποθέτησης:
Συνδέσιμο με σύρμα / Ευτηκτική μήτρα
Επισημαίνω:

Self-Aligned MOS Capacitor 330pF 30V

,

Sub-Micron Metal Electrode MOS Capacitor

,

Dispersion Free Chip MOS Capacitor

Περιγραφή προϊόντων
Self-Aligned Sub-Micron Top Metal MOS Capacitor HACC106S30V330 330pF 30V Summary: The HACC106S30V330 is a 330 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS capacitor with a self-aligned sub-micron top metal electrode and a dispersion-free RF response. It is intended for compact millimetre-wave circuits that need a fine electrode geometry and a stable capacitance value. Overview The HACC106S30V330 is built on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO2