Flat Q Response Low ESR Capacitor Ultra Low Dielectric Absorption Eutectic Reverse Side Ceramic Chip Capacitor

Condensatore MOS con metallizzazione posteriore eutettica personalizzata, risposta Q piatta, assorbimento dielettrico ultra-basso

HACC-CUSTOM-BM: Condensatore MOS ottimizzato per eutettica con risposta Q piatta e assorbimento dielettrico ultra-basso

Metallizzazione posteriore personalizzata per saldatura eutettica

L'HACC-CUSTOM-BM offre stack di metallizzazione posteriore selezionabili dal cliente, ottimizzati per processi di attacco die eutettico. Sono disponibili tre sistemi di leghe eutettiche a base di oro, selezionati in base al budget termico di assemblaggio e ai requisiti di affidabilità:

• AuSn (80Au/20Sn): Temperatura eutettica 280°C. Standard industriale per circuiti ibridi ad alta affidabilità. Retro metallizzato TiW-Ni-Au con pre-forma AuSn da 3-15 µm. Resistenza al taglio del die >2,5 kg/mm² su pad d'oro.
• AuGe (88Au/12Ge): Temperatura eutettica 356°C. Budget termico più elevato per successivi processi di rifusione. Basso tasso di ossidazione durante lo stoccaggio.
• AuSi (97Au/3Si): Temperatura eutettica 363°C. Massimo margine termico per flussi di assemblaggio multi-step. Preferito per l'attacco silicio su silicio dove l'abbinamento CTE è critico.

Tutti gli stack posteriori includono una barriera di diffusione TiW (2000 Å) per prevenire l'interdiffusione oro-silicio e uno strato barriera Ni (500-2000 Å) per la saldatura AuSn per prevenire il consumo di Sn da parte dello strato Au. La bagnabilità del saldante supera il 95% di copertura dell'area con vuoti a raggi X verificati al di sotto del 5% — garantendo una conduttività termica ed elettrica uniforme su tutta l'interfaccia di attacco del die.

Risposta in frequenza Flat-Q ingegnerizzata

I condensatori MOS standard presentano un fattore Q che varia significativamente con la frequenza — tipicamente raggiungendo un picco a poche centinaia di MHz per poi diminuire. Per applicazioni RF a banda larga (reti di adattamento, bias tee, risonatori di filtro), questa variazione di Q(f) complica la progettazione e limita la larghezza di banda utilizzabile. L'HACC-CUSTOM-BM offre una risposta Q piatta ingegnerizzata: Q mantenuto piatto entro ±5% su una banda specificata dal cliente da 100 MHz a 10 GHz, con un roll-off di Q controllato a <10% per decade oltre il plateau. Ciò si ottiene tramite drogaggio del substrato su misura (controllo della dipendenza dalla frequenza della resistenza serie) e ottimizzazione della geometria dell'elettrodo (controllo dell'effetto pelle e dell'affollamento di corrente). Il risultato è un condensatore il cui Q è prevedibile su tutta la banda operativa — nessun picco di Q, nessun gradino di Q e nessuna sorpresa durante i test prototipali.

Assorbimento dielettrico ultra-basso e stoccaggio di carica zero

L'assorbimento dielettrico (DA) — l'"effetto memoria" per cui un condensatore trattiene carica residua dopo la scarica — è un parametro critico per circuiti sample-and-hold, integratori di precisione e amplificatori sensibili alla carica dove la carica mantenuta deve rappresentare accuratamente la tensione campionata. Il dielettrico SiO₂ cresciuto termicamente nell'HACC-CUSTOM-BM raggiunge DA <0,05% a 1 kHz e <0,02% a 1 MHz — tra i più bassi di qualsiasi tecnologia di condensatori. Combinato con uscita piezoelettrica zero (nessun accoppiamento meccanico-elettrico, a differenza degli MLCC con dielettrici di titanato di bario) e sensibilità microfonica zero, l'HACC-CUSTOM-BM è ideale per applicazioni analogiche di precisione dove l'integrità della carica è fondamentale.

Specifiche chiave

Applicazioni

• Linee di assemblaggio eutettico per circuiti ibridi — selezione posteriore AuSn/AuGe/AuSi per budget termico di processo
• Reti di adattamento RF a banda larga — risposta flat-Q per impedenza costante su bande multi-ottava
• Circuiti sample-and-hold di precisione — DA <0,05% per integrità della carica, uscita piezoelettrica zeroPreamplificatori sensibili alla carica — assorbimento dielettrico quasi nullo elimina errori di effetto memoria
• Contattateci con la vostra preferenza di lega eutettica, profilo Q target e requisiti di assorbimento dielettrico. I prototipi di condensatori MOS con metallizzazione posteriore personalizzata vengono spediti in 5–7 giorni lavorativi.