Capacitante MOS ajustado de menos del 1% Capacitador MOS 220pF 100V CTE Optimizado Chip de una sola capa para módulos de energía GaN SiC

Condensador MOS de Precisión HACC221S100V502 — 220 pF 100 V con Coincidencia de Capacitancia Sub-1% y Optimización CTE para Sustratos de Potencia GaN y SiC

El HACC221S100V502 es un condensador MOS (semiconductor de óxido metálico) de una sola capa de 220 pF ±10% con una tensión nominal de 100 V CC, fabricado en silicio de zona flotante (>1000 Ω·cm) con SiO térmico de clase 300 nm₂ dieléctrico y metalización TiW-Au / TiW-Pt-Au. El contorno estándar del chip es de 0,55 mm × 0,55 mm × 0,18 mm (±25 µm). Está diseñado para módulos de potencia de banda ancha donde la simetría de capacitancia par a par y la fiabilidad termomecánica bajo ciclos de potencia determinan el rendimiento del circuito.

Dado que la estructura MOS de silicio se forma directamente sobre un sustrato de silicio monocristalino, su coeficiente de expansión térmica (CTE, 2,6 ppm/°C) es intrínsecamente cercano al del carburo de silicio y los dispositivos de potencia GaN sobre SiC — una ventaja sobre los condensadores cerámicos a base de alúmina cuando se empaquetan conjuntamente en sustratos de potencia.

Coincidencia de Capacitancia de Precisión Sub-1% en Obleas

• Servicio de clasificación de obleas: los condensadores se prueban eléctricamente al 100% y se clasifican para que los conjuntos emparejados enviados juntos permanezcan dentro de <1% de dispersión de capacitancia, en posición de oblea, de oblea a oblea y de lote a lote;
• Los pares y arreglos emparejados se envían con documentación de mapa de oblea digital y trazabilidad completa del lote por lote de oblea;
• El dieléctrico de SiO térmico ultraestable₂ mantiene una pequeña deriva de coincidencia en todo el rango de -55 °C a +200 °C y bajo polarización CC (TCC +35 ppm/°C);
• Ideal para redes de accionamiento de puerta de medio puente equilibradas, de desacoplo y divisor donde la simetría de capacitancia controla el equilibrio de conmutación y la EMI.

Características Eléctricas (típicas, 25 °C a menos que se indique lo contrario)

Aplicaciones Típicas

Desacoplo de accionamiento de puerta y snubber en módulos de potencia GaN y SiC; módulos de potencia híbridos e inversores de tracción; cargadores a bordo y convertidores CC-CC de alta densidad; redes de polarización de amplificadores de potencia RF; y cualquier ensamblaje de potencia empaquetado conjuntamente donde se requiera coincidencia CTE, capacitancia emparejada y baja inductancia.