Sub-1% Capaciteit MOS-capacitor 220pF 100V CTE Geoptimaliseerde enkellagige chip voor GaN SiC-vermogenmodules

HACC221S100V502 Precisie MOS Condensator — 220 pF 100 V met Sub-1% Capaciteitsafstemming en CTE-optimalisatie voor GaN & SiC Power Substraten

De HACC221S100V502 is een 220 pF ±10% enkellaagse MOS (metaal-oxide-halfgeleider) condensator met een nominale spanning van 100 V DC, gefabriceerd op float-zone silicium (>1000 Ω·cm) met een thermische SiO van 300 nm-klasse₂ diëlektricum en TiW-Au / TiW-Pt-Au metallisatie. De standaard chipafmetingen zijn 0,55 mm × 0,55 mm × 0,18 mm (±25 µm). Hij is ontworpen voor wide-bandgap power modules waar paar-tot-paar capaciteitsymmetrie en thermo-mechanische betrouwbaarheid onder power cycling de circuitprestaties bepalen.

Omdat de silicium MOS-structuur direct op een enkelkristallijn siliciumsubstraat is gevormd, is de thermische uitzettingscoëfficiënt (CTE, 2,6 ppm/°C) inherent dicht bij die van siliciumcarbide en GaN-op-SiC power devices — een voordeel ten opzichte van keramische condensatoren op basis van alumina wanneer deze samen worden verpakt op power substraten.

Sub-1% Precisie Capaciteitsafstemming over Wafers

• Wafer-level sorteerservice: condensatoren worden 100% elektrisch geprobeerd en gesorteerd, zodat de bij elkaar geleverde sets binnen <1% capaciteitsspreiding blijven, over waferpositie, wafer-naar-wafer en lot-naar-lot;
• Afgestemde paren en arrays worden geleverd met digitale waferkaartdocumentatie en volledige lottraceerbaarheid per waferlot;
• Ultra-stabiele thermische SiO₂ diëlektricum houdt de afstemmingsdrift klein over het volledige bereik van -55°C tot +200°C en onder DC-bias (TCC +35 ppm/°C);
• Ideaal voor gebalanceerde halfbrug gate drive, snubber en divider netwerken waar capaciteitsymmetrie de schakelbalans en EMI bepaalt.

Elektrische Kenmerken (typisch, 25°C tenzij anders vermeld)

Typische Toepassingen

Gate drive en snubber ontkoppeling in GaN en SiC power modules; hybride power modules en tractie-inverters; on-board laders en high-density DC-DC converters; RF power versterker bias netwerken; en elke samen verpakte power assemblage waar CTE-match, afgestemde capaciteit en lage inductie vereist zijn.