Capacitor MOS com Capacitância Casada Sub-1% 220pF 100V Chip de Camada Única Otimizado para CTE para Módulos de Potência GaN SiC

HACC221S100V502 Condensador MOS de precisão 220 pF 100 V com correspondência de capacidade inferior a 1% e otimização CTE para substratos de potência GaN e SiC

O HACC221S100V502 é um condensador MOS (metal-óxido-semicondutor) de uma única camada de 220 pF ± 10% a 100 V DC, fabricado em silício de zona flutuante (> 1000 Ω·cm) com SiO térmico de classe 300 nm₂O contorno padrão do chip é de 0,55 mm × 0,55 mm × 0,18 mm (± 25 μm).É projetado para módulos de potência de banda larga onde a simetria de capacidade de par para par e a confiabilidade termo-mecânica sob o ciclo de potência determinam o desempenho do circuito.

Como a estrutura do MOS de silício é formada diretamente num substrato de silício de cristal único, o seu coeficiente de expansão térmica (CTE, 2.6 ppm/°C) é inerentemente próxima da dos dispositivos de potência de carburo de silício e GaN-on-SiC ­ uma vantagem face aos condensadores cerâmicos à base de alumina quando co-embalados em substratos de potência.

Sub-1% Capacidade de precisão de correspondência entre as wafers

• Serviço de triagem a nível de wafer:Os condensadores são 100% electricamente sondados e classificados de modo a que os conjuntos correspondentes enviados juntos permaneçam dentro de uma diferença de capacidade < 1%, em relação à posição da wafer, da wafer para a wafer e do lote para o lote;
• Os pares e matrizes correspondentes são enviados com a documentação do mapa digital da bolacha e a rastreabilidade do lote completo por lote de bolacha;
• O SiO ultraestável térmicamente₂O dieléctrico mantém a deriva de correspondência pequena no intervalo completo de -55°C a +200°C e sob distorção de CC (TCC +35 ppm/°C);
• Ideal para acionamento de portões de meia ponte equilibrados, redes de snubber e divisores onde a simetria de capacitância controla o equilíbrio de comutação e o EMI.

Características elétricas (típica, 25°C, salvo indicação)

Aplicações típicas

Acionamento de portão e desacoplamento de snubber em módulos de potência GaN e SiC; módulos de potência híbridos e inversores de tração; carregadores integrados e conversores DC-DC de alta densidade; redes de distorção de amplificadores de potência de RF;e qualquer conjunto de potência combinada em que a CTE corresponda, são necessárias uma capacidade correspondente e uma baixa indutividade.