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Unter-1% Kapazität abgestimmter MOS-Kondensator 220pF 100V CTE Optimierter Einzelschichtchip für GaN SiC-Leistungsmodule

Name: Unter-1% Kapazität abgestimmter MOS-Kondensator 220pF 100V CTE Optimierter Einzelschichtchip für GaN SiC-Leistungsmodule
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC221S100V502
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC221S100V502
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Kapazitätsanpassung:

Weniger als 1 % übereinstimmende Sätze über Wafer/Wafer-zu-Wafer (digitale Waferkarte)

CTE-Match:

Silizium 2,6 ppm/°C, abgestimmt auf GaN/SiC-Leistungssubstrate

Funktionieren/Lagertemperatur:

-55°C bis +200°C / -65°C bis +150°C

Chipabmessungen:

0,55 × 0,55 × 0,18 mm (±25 µm); Benutzerdefinierte Geometrie mit einem Seitenverhältnis von bis zu 4

Metallisierung:

TiW-Au-Oberseite (≥2,5 µm Au) / TiW-Pt-Au-Rückseite (nur Au verfügbar)

Montageart:

Drahtbondbar / AuSn-Eutektikum / Lötmittel / leitfähiges Epoxidharz

Hervorheben:

MOS-Kondensator mit einer Kapazität von weniger als 1%

220pF 100V MOS-Kondensator

CTE-optimierter Einlagenschipkondensator

Produkt-Beschreibung

HACC221S100V502 Präzisions-MOS-Kondensator ¥ 220 pF 100 V mit Sub-1% Kapazitätsabgleich und CTE-Optimierung für GaN- und SiC-Leistungssubstrate

Der HACC221S100V502 ist ein 220 pF ±10% einlagiger MOS-Kondensator (Metall-Oxid-Halbleiter) mit einer Leistung von 100 V Gleichstrom, hergestellt auf Float-Zone-Silizium (> 1000 Ω·cm) mit 300 nm-Klasse thermischem SiO₂Standardchipumform beträgt 0,55 mm × 0,55 mm × 0,18 mm (± 25 μm).Es ist für Breitbandspannungsmodule konzipiert, bei denen die Kapazitätssymmetrie von Paar zu Paar und die thermo-mechanische Zuverlässigkeit unter Leistungszyklus die Leistung des Stromkreises bestimmen.

Da die Silizium-MOS-Struktur direkt auf einem Einkristall-Silizium-Substrat gebildet wird, ist ihr Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE, 2.6 ppm/°C) ist dem von Siliziumkarbid- und GaN-on-SiC-Antrieben nahe.

Unter-1% Präzisionskapazität Abgleich zwischen Wafern

Wafer-Sortierdienst:die Kondensatoren werden zu 100% elektrisch erprobt und sortiert, so dass zusammengestellte kombinierte Sätze innerhalb einer Kapazitätsdifferenz von < 1% über die Waferposition, Wafer-zu-Wafer- und Lot-zu-Lot verteilt bleiben;
Abgleichte Paare und Arrays werden mit digitaler Waferkartendokumentation und vollständiger Losverfolgbarkeit pro Waferlot versandt.
Ultrastabiler SiO₂Dielektrische Übereinstimmungsströmung hält den gesamten Bereich von -55 °C bis +200 °C und unter Gleichstromverzerrung (TCC +35 ppm/°C) gering;
Ideal für ausgeglichene Halbbrücken-Gate-Antriebe, Snucker- und Dividernetze, bei denen die Kapazitätssymmetrie das Schaltgleichgewicht und die EMI steuert.

Elektrische Eigenschaften (typisch, 25°C, sofern nicht angegeben)

Nennkapazität	220 pF ±10% (1 kHz, 1,0 Vrms); abgestimmte Sätze mit < 1% Spread verfügbar
Nennspannung	100 V Gleichstrom
Dielektrische Spannung	250 V Gleichspannung (250% Nennwert, 5 s, 100% geprüft)
Temperaturkoeffizient (TCC)	+35 ppm/°C über -55°C bis +200°C
Verlustfaktor	≤ 0,15% bei 1 kHz, 1,0 Vrms
Q-Faktor	> 2000 bei 1 MHz; > 200 bei 1 GHz
ESR bei 1 GHz	< 0,1 Ω
Eingeborene Chip-ESL	< 0,05 nH (ausgebunden); SRF auf Chipebene > 1,5 GHz; SRF des Systems > 500 MHz mit 0,5 mm Au-Bindungsdraht
Leckstrom	< 10 nA bei 25°C; < 500 nA bei 200°C (bei Nennspannung)
Widerstand gegen Isolierung	≥ 10⁴MΩ bei Nennspannung, 25°C
ESD-Toleranz	> 2 kV HBM, Klasse 2 pro JESD22-A114
Betriebstemperatur / Lagertemperatur	-55°C bis +200°C / -65°C bis +150°C
Standardabmessung	0.55 × 0,55 × 0,18 mm (± 25 μm); benutzerdefinierte Geometrie, Seitenverhältnis bis zu 4:1
Metallisierung	TiW-Au-Oberteil (≥ 2,5 μm Au, drahtverbindlich); TiW-Pt-Au-Rückseite (AuSn / Lötmittel / Silber-Epoxid) oder nur Au-Rückseite

Typische Anwendungen

Schaltantriebs- und Schnubberentkopplung in GaN- und SiC-Leistungsmodulen; hybride Leistungsmodule und Traktionsumrichter; eingebaute Ladegeräte und Gleichstrom-Gleichstrom-Wandler mit hoher Dichte; HF-Leistungsverstärker-Bias-Netzwerke;und jeder kombinierte Leistungsanlage, bei der die CTE übereinstimmt, eine übereinstimmende Kapazität und eine geringe Induktivität sind erforderlich.

Unter-1% Kapazität abgestimmter MOS-Kondensator 220pF 100V CTE Optimierter Einzelschichtchip für GaN SiC-Leistungsmodule

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren