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Capacitores MOS

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HGM221S30V220
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Tamanho do chip:

0,50x0,50x0,15mm

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

Nível de sensibilidade à umidade:

MSL1 (J-STD-020)

RoHS:

Em conformidade (UE 2015/863)

Largura de banda utilizável:

DC a 40 GHz (típico)

Personalização:

Capacitância personalizada 10 pF-1000 pF, perfil de interface gradiente e geometria da matriz

Destacar:

Gradient impedance matching MOS capacitor

,

220 pF 30V MOS capacitor

,

Ultra-wideband RF signal MOS capacitor

Descrição do produto

HGM221S30V220 Gradient Impedance Matching MOS Capacitor — 220 pF 30V Ultra-Wideband In short: The HGM221S30V220 is a 220 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. Its gradient impedance interface smooths the transition to the surrounding circuit so the capacitor keeps a consistent response over an ultra-wideband range, and it also holds sub-degree phase consistency between elements for array use.

Etiquetas:

Capacitor SLC

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