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Condensatori MOS

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Marchio:	Hoan
Numero di modello:	HGM221S30V220
MOQ:	10 pezzi
Termini di pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Shaanxi, Cina

Certificazione:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensione del chip:

0,50 x 0,50 x 0,15 mm

Temperatura operativa:

Da -55°C a +125°C

Livello di sensibilità all'umidità:

MSL1 (J-STD-020)

RoHS:

Conforme (UE 2015/863)

Larghezza di banda utilizzabile:

Da CC a 40 GHz (tipico)

Personalizzazione:

Capacità personalizzata 10 pF-1000 pF, profilo di interfaccia gradiente e geometria del die

Evidenziare:

Gradient impedance matching MOS capacitor

,

220 pF 30V MOS capacitor

,

Ultra-wideband RF signal MOS capacitor

Descrizione di prodotto

HGM221S30V220 Gradient Impedance Matching MOS Capacitor — 220 pF 30V Ultra-Wideband In short: The HGM221S30V220 is a 220 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. Its gradient impedance interface smooths the transition to the surrounding circuit so the capacitor keeps a consistent response over an ultra-wideband range, and it also holds sub-degree phase consistency between elements for array use.

Etichette:

Capacitore SLC

Capacitore legato a filo

Capacitore ceramico a uno strato

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