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Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HGM221S30V220
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Chipgröße:

0,50 x 0,50 x 0,15 mm

Betriebstemperatur:

-55°C bis +125°C

Feuchtigkeitsempfindlichkeit:

MSL 1 (J-STD-020)

RoHS:

Konform (EU 2015/863)

Nutzbare Bandbreite:

DC bis 40 GHz (typisch)

Anpassung:

Benutzerdefinierte Kapazität 10 pF-1000 pF, Gradientenschnittstellenprofil und Chip-Geometrie

Hervorheben:

Gradient impedance matching MOS capacitor

,

220 pF 30V MOS capacitor

,

Ultra-wideband RF signal MOS capacitor

Produkt-Beschreibung

HGM221S30V220 Gradient Impedance Matching MOS Capacitor — 220 pF 30V Ultra-Wideband In short: The HGM221S30V220 is a 220 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. Its gradient impedance interface smooths the transition to the surrounding circuit so the capacitor keeps a consistent response over an ultra-wideband range, and it also holds sub-degree phase consistency between elements for array use.

Umbauten:

SLC Kondensator

Wirkstoffverbindungskondensator

Einlager-Keramikkondensator

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