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Condensateurs MOS

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Nom De La Marque:	Hoan
Numéro De Modèle:	HGM221S30V220
Quantité Minimale De Commande:	10 pièces
Conditions De Paiement:	LC, D/A, D/P, T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shaanxi, Chine

Certification:

ISO 9001:2015, RoHS

Taille de la puce:

0,50x0,50x0,15mm

Température de fonctionnement:

-55°C à +125°C

Niveau de sensibilité à l'humidité:

MSL1 (J-STD-020)

RoHS:

Conforme (UE 2015/863)

Bande passante utilisable:

CC à 40 GHz (typique)

Personnalisation:

Capacité personnalisée 10 pF-1 000 pF, profil d'interface dégradé et géométrie de la matrice

Mettre en évidence:

Gradient impedance matching MOS capacitor

,

220 pF 30V MOS capacitor

,

Ultra-wideband RF signal MOS capacitor

Description de produit

HGM221S30V220 Gradient Impedance Matching MOS Capacitor — 220 pF 30V Ultra-Wideband In short: The HGM221S30V220 is a 220 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. Its gradient impedance interface smooths the transition to the surrounding circuit so the capacitor keeps a consistent response over an ultra-wideband range, and it also holds sub-degree phase consistency between elements for array use.

Étiquettes:

Condensateur SLC

Condensateur soudable par fil

Condensateur céramique monocouche

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