商品の詳細

ホーム製品

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Name: Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HGM221S30V220
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Hoan
モデル番号:	HGM221S30V220
MOQ:	10個
支払い条件:	L/C、D/A、D/P、T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

陝西省、中国

証明:

ISO 9001:2015, RoHS

チップサイズ:

0.50×0.50×0.15mm

動作温度:

-55℃～+125℃

湿度感度レベル:

MSL 1 (J-STD-020)

RoHS:

準拠 (EU 2015/863)

使用可能な帯域幅:

DC ～ 40 GHz (標準)

カスタマイズ:

カスタム静電容量 10 pF ～ 1000 pF、勾配インターフェイスプロファイルおよびダイ形状

ハイライト:

Gradient impedance matching MOS capacitor

220 pF 30V MOS capacitor

Ultra-wideband RF signal MOS capacitor

製品の説明

HGM221S30V220 Gradient Impedance Matching MOS Capacitor — 220 pF 30V Ultra-Wideband In short: The HGM221S30V220 is a 220 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. Its gradient impedance interface smooths the transition to the surrounding circuit so the capacitor keeps a consistent response over an ultra-wideband range, and it also holds sub-degree phase consistency between elements for array use.

札:

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ

単層コンデンサ

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ

単層コンデンサ

商品の詳細

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient impedance matching MOS capacitor

220 pF 30V MOS capacitor

Ultra-wideband RF signal MOS capacitor

SLCキャパシタ

ワイヤボンディング可能キャパシタ

単層セラミックキャパシタ

高絶縁破壊電圧MOSキャパシタ超小型低リーク 50V ワイヤボンディング可能キャパシタ SLCチップ

カスタムRFチップコンデンサ放射線硬化型スペースコンデンサフラットQ応答デジタルウェーハマップ

ラピッドプロトタイピングMOSキャパシタフレキシブルカスタマイズ 10pFキャパシタ環境配慮型サプライチェーン準拠チップ

フラットQ応答低ESRコンデンサ超低誘電吸収共晶裏面セラミックチップコンデンサ

超低負荷MOSコンデンサ優れたTCCVCC安定性 100pF 50V 高Qコンデンサ RF