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Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

Gradient Impedance Matching MOS Capacitor 220 pF 30V Chip for Ultra-Wideband RF Signal Chains

ब्रांड का नाम:	Hoan
मॉडल नंबर:	HGM221S30V220
MOQ:	10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें:	एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद का वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

शानक्सी, चीन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015, RoHS

चिप आकार:

0.50 x 0.50 x 0.15 मिमी

परिचालन तापमान:

-55°C से +125°C

नमी संवेदनशीलता स्तर:

एमएसएल 1 (जे-एसटीडी-020)

RoHS:

आज्ञाकारी (ईयू 2015/863)

प्रयोग करने योग्य बैंडविड्थ:

डीसी से 40 गीगाहर्ट्ज़ (सामान्य)

अनुकूलन:

कस्टम कैपेसिटेंस 10 पीएफ-1000 पीएफ, ग्रेडिएंट इंटरफ़ेस प्रोफ़ाइल और डाई ज्योमेट्री

प्रमुखता देना:

Gradient impedance matching MOS capacitor

,

220 pF 30V MOS capacitor

,

Ultra-wideband RF signal MOS capacitor

उत्पाद का वर्णन

HGM221S30V220 Gradient Impedance Matching MOS Capacitor — 220 pF 30V Ultra-Wideband In short: The HGM221S30V220 is a 220 pF, 30 V single-layer MOS capacitor built on high-resistivity float-zone silicon with a thermally grown SiO2 dielectric. Its gradient impedance interface smooths the transition to the surrounding circuit so the capacitor keeps a consistent response over an ultra-wideband range, and it also holds sub-degree phase consistency between elements for array use.

टैग:

एसएलसी कैपेसिटर

वायर बॉन्डेबल कैपेसिटर

सिंगल लेयर सिरेमिक कैपेसिटर

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