HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HACC471S50V200 |
| Quantidade mínima: | 10 peças |
| Condições de pagamento: | T/T,L/C,D/A,D/P |
Resumo do produto:O HACC471S50V200 é um condensador de metal-óxido-semicondutor (MOS) de camada única com uma capacitância nominal de 470pF ± 10% e uma tensão de trabalho de 50V DC. Ele usa um dióxido de silício térmico de 300nm (SiO)2O processo de transformação de um dieléctrico em um substrato de silício de zona flutuante com uma pilha de metalização TiW-Au.um tempo de relaxamento dielétrico otimizado e relaxamento de polarização ultra-rápidoIsso o torna adequado para circuitos de pulso e comutação onde a queda, o tempo de estabilização e a repetibilidade de pulso a pulso são importantes.
Após um condensador carregar, o material dielétrico precisa de um tempo finito para retornar ao seu estado de polarização de equilíbrio.,A carga residual de um pulso anterior pode afetar o próximo pulso, produzindo queda de amplitude ou erro de sincronização em um trem de pulso.tempo de relaxamento bem controlado e baixa absorção dielétrica inicia cada pulso a partir de um estado de carga limpa, o que melhora a repetibilidade em circuitos de formação de pulso, de amostragem e retenção e de modulação.
| Parâmetro | Valor | Condição |
| Capacidade | 470pF ± 10% | 1MHz, 1,0Vrms |
| Tensão nominal de CC | 50 V | Contínuo |
| Força dielétrica | > 125 V CC | 1 minuto, 25°C |
| Absorção dielétrica | < 0,1% | Tipico |
| Tempo de relaxamento dielétrico | Optimizado (constante de tempo curto) | Recuperação pós-pulso |
| ESL de chip intrínseco | < 0,05nH | Desintegrado dos parâmetros S |
| Fator Q a 1 MHz | > 2000 | Tipico |
| TCC | +35 ppm/°C | -55°C a +125°C |
| Corrente de fuga | < 10nA | 50 V de corrente contínua, 25°C |
| Dieléctricos | SiO térmico2, 300 nm | - Não. |
| Substrato | Zona de flutuação Si, > 1000 Ω·cm | - Não. |
| Dimensões do chip | 0.50 × 0,50 × 0,15 mm | ± 0,025 mm |
| Metalização superior | TiW + Au, 2,5 μm min. | Fios ligáveis |
| Metalização posterior | TiW-Pt-Au, Au 1,0 μm min | Acerte |
| Temperatura de funcionamento | -55°C a +125°C | - Não. |
| RoHS | Conformidade | A partir de 1 de janeiro de 2015 |
