Optimierte dielektrische Relaxationszeit MOS-Kondensator 470pF 50V Einzelschicht-Chip für Pulskreise

HACC471S50V200 Optimierte Dielektrische Relaxationszeit MOS-Kondensator — 470pF 50V Einzelschicht-Chip

Produktübersicht:Der HACC471S50V200 ist ein einlagiger Metall-Oxid-Halbleiter (MOS)-Kondensator mit einer Nennkapazität von 470pF ±10% und einer Gleichspannungs-Betriebsspannung von 50V. Er verwendet ein 300nm dickes thermisches Siliziumdioxid (SiO₂)-Dielektrikum auf einem Float-Zone-Siliziumsubstrat mit einem TiW-Au-Metallisierungspaket. Er wurde für zwei Eigenschaften entwickelt: eine optimierte dielektrische Relaxationszeit und eine ultraschnelle Polarisationsrelaxation, damit sich die gespeicherte Ladung nach einem schnellen Pulsübergang schnell einstellt. Dies macht ihn geeignet für Puls- und Schaltkreise, bei denen Durchhang, Einschwingzeit und Puls-zu-Puls-Wiederholbarkeit wichtig sind.

Was ist dielektrische Relaxationszeit?

Nachdem ein Kondensator aufgeladen wurde, benötigt das dielektrische Material eine endliche Zeit, um in seinen Gleichgewichtspolarisationszustand zurückzukehren. Diese Periode ist die dielektrische Relaxationszeit. Wenn das Dielektrikum langsam relaxiert, kann Restladung von einem vorherigen Puls den nächsten Puls beeinflussen, was zu Amplitudendurchhang oder Zeitfehlern in einer Pulsfolge führt. Ein Kondensator mit einer kurzen, gut kontrollierten Relaxationszeit und geringer dielektrischer Absorption beginnt jeden Puls aus einem sauberen Ladungszustand, was die Wiederholbarkeit in Pulsformungs-, Sample-and-Hold- und Modulatorkreisen verbessert.

Schlüsselspezifikationen (T = 25°C, sofern nicht anders angegeben)

Typische Anwendungen

• Pulsformungs- und Pulsformungsnetzwerke
• Schnelle Sample-and-Hold- und Peak-Detektor-Stufen
• Radar- und LIDAR-Pulsmodulatoren
• Snubber und dV/dt-Klemmknoten von Stromwandlern
• High-Speed-Analog-Acquisition-Front-Ends
• Präzisionsintegratoren und Ladungstransferkreise