Condensateur MOS à temps de relaxation diélectrique optimisé 470pF 50V monocouche pour circuits à impulsions

Condensateur MOS à temps de relaxation diélectrique optimisé HACC471S50V200 — 470pF 50V à couche unique

Présentation du produit : Le HACC471S50V200 est un condensateur métal-oxyde-semi-conducteur (MOS) à couche unique avec une capacité nominale de 470pF ±10% et une tension de fonctionnement de 50V CC. Il utilise un diélectrique en dioxyde de silicium thermique (SiO₂) de 300 nm sur un substrat de silicium à zone flottante avec une structure de métallisation TiW-Au. Il est conçu autour de deux propriétés : un temps de relaxation diélectrique optimisé et une relaxation de polarisation ultra-rapide, de sorte que la charge stockée se stabilise rapidement après une transition d'impulsion rapide. Cela le rend adapté aux circuits à impulsions et à commutation où la chute, le temps de stabilisation et la répétabilité impulsion à impulsion sont importants.

Qu'est-ce que le temps de relaxation diélectrique ?

Après qu'un condensateur se charge, le matériau diélectrique a besoin d'un temps fini pour revenir à son état de polarisation d'équilibre. Cette période est le temps de relaxation diélectrique. Si le diélectrique se détend lentement, la charge résiduelle d'une impulsion précédente peut affecter l'impulsion suivante, produisant une chute d'amplitude ou une erreur de synchronisation dans une séquence d'impulsions. Un condensateur avec un temps de relaxation court et bien contrôlé et une faible absorption diélectrique démarre chaque impulsion à partir d'un état de charge propre, ce qui améliore la répétabilité dans les circuits de formation d'impulsions, d'échantillonnage et de maintien, et de modulation.

Spécifications clés (T = 25°C sauf indication contraire)

Applications typiques

• Réseaux de formation et de mise en forme d'impulsions
• Étages rapides d'échantillonnage et de maintien et de détection de crête
• Modulateurs d'impulsions radar et LIDAR
• Nœuds de suppression et de limitation de dV/dt des convertisseurs de puissance
• Frontaux d'acquisition analogique à haute vitesse
• Intégrateurs de précision et circuits de transfert de charge