details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
MOS-condensatoren
Created with Pixso.

Geoptimaliseerde dielektrische ontspanningstijd MOS-capacitor 470pF 50V enkellagige chip voor pulscircuits

Geoptimaliseerde dielektrische ontspanningstijd MOS-capacitor 470pF 50V enkellagige chip voor pulscircuits

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HACC471S50V200
MOQ: 10 stuks
Betalingsvoorwaarden: T/T,L/C,D/A,D/P
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
Shaanxi, China
Certificering:
ISO 9001:2015, RoHS
Capaciteit:
470pF ±10%
Topmetallisatie:
TiW + Au, 2,5 µm min
Montagetype:
Met draad te verbinden/eutectische matrijsbevestiging
Bedrijfstemperatuur:
-55°C tot +125°C
RoHS:
Conform (EU 2015/863)
Maatwerk:
Capaciteit 10pF-1000pF, geometrie tot 4:1, omrande elektrode, zwevende achterkant
Markeren:

MOS condensator 470pF pulscircuits

,

enkellaagchip MOS-capacitor 50V

,

dielectric relaxation time MOS condensator

Productomschrijving

HACC471S50V200 Geoptimaliseerde dielectrische ontspanningstijd MOS-capacitor

Productoverzicht:De HACC471S50V200 is een eenlaagse metaal-oxide-halfgeleider (MOS) condensator met een nominale capaciteit van 470pF ± 10% en een 50V gelijkstroom werkspanning.2Het is ontworpen om twee eigenschappen te hebben:een geoptimaliseerde dielektrische ontspanningstijd en een ultrasnelle polarisatie ontspanningDit maakt het geschikt voor puls- en schakelcircuits waar droop, vestigingstijd en puls-op-puls herhaalbaarheid van belang zijn.


Wat is dielektrische ontspanningstijd?


Na het opladen van een condensator heeft het dielektrische materiaal een eindige tijd nodig om terug te keren naar zijn polarisatie-staat van evenwicht.,Een condensator met een korte spanning kan de volgende impuls beïnvloeden, waardoor een amplitudeverlies of timingfout ontstaat in een puls.goed gecontroleerde ontspanningstijd en lage dielectrische absorptie start elke puls vanaf een schone ladingstoestand, wat de herhaalbaarheid verbetert in pulsvormende, sample-and-hold en modulatorcircuits.


Belangrijkste specificaties (T = 25°C, tenzij vermeld)


Parameter Waarde Voorwaarde
Capaciteit 470pF ±10% 1MHz, 1,0Vrms
Nominale gelijkstroomspanning 50 V Continu
Dielectrische sterkte > 125 V gelijkstroom 1 minuut, 25°C
Dielektrische absorptie < 0,1% Typisch
Dielectrische ontspanningstijd Geoptimaliseerd (korte tijdconstante) Herstel na puls
Intrinsieke chip ESL < 0,05nH De S-parameters zijn losgemaakt.
Q-factor bij 1 MHz > 2000 Typisch
TCC +35 ppm/°C -55°C tot +125°C
Leekstroom < 10nA 50V gelijkstroom, 25°C
Dielectrische Thermische SiO2, 300 nm
Substraat Float-zone Si, > 1000 Ω·cm
Afmetingen van de chip 0.50 × 0,50 × 0,15 mm ± 0,025 mm
Bovenmetallisering TiW + Au, 2,5 μm min met een breedte van niet meer dan 15 mm
Metallisatie aan de achterzijde TiW-Pt-Au, Au 1,0 μm min Verwijder
Werktemperatuur -55°C tot +125°C
RoHS Voldoende EU 2015/863


Typische toepassingen


  • Netwerken voor pulsvorming en pulsvorming
  • Snel-monster-en-houd- en piektetectorstadia
  • Radar- en LIDAR-impulsmodulatoren
  • Krachtomvormer snubber en klemknopen dV/dt
  • High-speed-analoogopname front-ends
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W


Geoptimaliseerde dielektrische ontspanningstijd MOS-capacitor 470pF 50V enkellagige chip voor pulscircuits