In breve: l'Hoan HACC221S50V350 è un condensatore MOS a singolo strato da 220 pF ±10%, 50 V DC fornito come die saldabile a filo che misura 0,50 × 0,50 × 0,09 mm. Le sue pile di elettrodi superiore e inferiore sono identiche, quindi il componente funziona in entrambe le direzioni senza marcatura di polarità. Il fattore Q è superiore a 2000 a 1 MHz e rimane superiore a 25 a 10 GHz, l'ESL è inferiore a 0,04 nH e il profilo totale è inferiore a 100 µm, il che consente al die di essere laminato all'interno di build-up di substrati laminati, poliimmidici e LTCC. Il valore di capacità, la tensione nominale, la geometria del die e la metallizzazione sono personalizzabili.
L'HACC221S50V350 appartiene alla famiglia dei condensatori MOS a singolo strato, descritti anche nell'industria come SLC (single layer capacitor), condensatori chip saldabili a filo o condensatori chip RF MOS. Il dispositivo è una struttura planare metallo-ossido-semiconduttore: un dielettrico SiO2 cresciuto termicamente da 300 nm si trova tra un elettrodo superiore a film sottile sputtering e il retro metallizzato di un substrato di silicio float-zone ad alta resistività (>1000 Ohm·cm). La corrente scorre verticalmente attraverso un percorso di circa 90 µm, senza pile di elettrodi interne, senza vias e senza routing a serpentina. Questo percorso di corrente verticale a strato singolo è il motivo per cui il componente mantiene un Q elevato e una bassa induttanza serie equivalente a frequenze microonde, dove i condensatori ceramici multistrato raggiungono la risonanza e diventano induttivi.
| Parametro | Valore standard | Intervallo personalizzato |
| Capacità | 220 pF ±10% | 10 pF a 1000 pF, ±5% o più stretto su richiesta |
| Tensione nominale | 50 V DC | Singolo strato da 6,3 V a 100 V DC |
| Dielettrico | SiO2 termico da 300 nm, Classe I | Alta K di Classe II o spessore ossido personalizzato |
| Dimensioni del die | 0,50 × 0,50 mm | Da 0,25 × 0,25 mm a 5,0 × 5,0 mm, rettangolare fino a 4:1 |
| Spessore del die | 90 µm | Da 50 µm a 250 µm |
| Metallizzazione superiore | TaN/TiW/Ni/Au, Au da 2,5 µm | Opzioni fino a 5,0 µm Au, Al o TiW-Au |
| Metallizzazione posteriore | TiW-Pt-Au, Au da 1,0 µm | Solo Au, preforma AuSn da 3-5 µm, AuGe, argento sinterizzato |
| Tolleranza e matching | ±10% | Set abbinati inferiori a ±1% sull'intero wafer |
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