dettagli dei prodotti

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Condensatori MOS
Created with Pixso.

Marchio: Hoan
Numero di modello: HACC221S50V350
MOQ: 10 pezzi
Termini di pagamento: T/T,L/C,D/P,D/A
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shaanxi, Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015, RoHS
Temperatura operativa:
Da -55°C a +125°C
Sensibilità di umidità:
MSL 1 secondo J-STD-020
Conformità:
RoHS EU 2011/65/EU e (EU) 2015/863, REACH, senza alogeni IEC 61249-2-21 su richiesta
Sistema di qualità:
ISO9001:2015
Copertura di prova:
Test su stampo al 100% per C, DF, perdite e DWV; Parametro S e tracciabilità del lotto su richiesta
Gamma di personalizzazione:
C 10-1000pF, 6,3-100 V CC, filiera 0,25-5,0 mm, spessore 50-250 µm
Evidenziare:

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

,

Ultra-Thin 90µm SLC Chip

,

Flat High-Q Microwave Capacitor

Descrizione di prodotto

HACC221S50V350 Condensatore MOS simmetrico non polarizzato da 220 pF, chip ultra-sottile da 90 µm per substrati integrati

In breve: l'Hoan HACC221S50V350 è un condensatore MOS a singolo strato da 220 pF ±10%, 50 V DC fornito come die saldabile a filo che misura 0,50 × 0,50 × 0,09 mm. Le sue pile di elettrodi superiore e inferiore sono identiche, quindi il componente funziona in entrambe le direzioni senza marcatura di polarità. Il fattore Q è superiore a 2000 a 1 MHz e rimane superiore a 25 a 10 GHz, l'ESL è inferiore a 0,04 nH e il profilo totale è inferiore a 100 µm, il che consente al die di essere laminato all'interno di build-up di substrati laminati, poliimmidici e LTCC. Il valore di capacità, la tensione nominale, la geometria del die e la metallizzazione sono personalizzabili.


Cos'è questo prodotto?

L'HACC221S50V350 appartiene alla famiglia dei condensatori MOS a singolo strato, descritti anche nell'industria come SLC (single layer capacitor), condensatori chip saldabili a filo o condensatori chip RF MOS. Il dispositivo è una struttura planare metallo-ossido-semiconduttore: un dielettrico SiO2 cresciuto termicamente da 300 nm si trova tra un elettrodo superiore a film sottile sputtering e il retro metallizzato di un substrato di silicio float-zone ad alta resistività (>1000 Ohm·cm). La corrente scorre verticalmente attraverso un percorso di circa 90 µm, senza pile di elettrodi interne, senza vias e senza routing a serpentina. Questo percorso di corrente verticale a strato singolo è il motivo per cui il componente mantiene un Q elevato e una bassa induttanza serie equivalente a frequenze microonde, dove i condensatori ceramici multistrato raggiungono la risonanza e diventano induttivi.



Matrice di personalizzazione

Parametro Valore standard Intervallo personalizzato
Capacità 220 pF ±10% 10 pF a 1000 pF, ±5% o più stretto su richiesta
Tensione nominale 50 V DC Singolo strato da 6,3 V a 100 V DC
Dielettrico SiO2 termico da 300 nm, Classe I Alta K di Classe II o spessore ossido personalizzato
Dimensioni del die 0,50 × 0,50 mm Da 0,25 × 0,25 mm a 5,0 × 5,0 mm, rettangolare fino a 4:1
Spessore del die 90 µm Da 50 µm a 250 µm
Metallizzazione superiore TaN/TiW/Ni/Au, Au da 2,5 µm Opzioni fino a 5,0 µm Au, Al o TiW-Au
Metallizzazione posteriore TiW-Pt-Au, Au da 1,0 µm Solo Au, preforma AuSn da 3-5 µm, AuGe, argento sinterizzato
Tolleranza e matching ±10% Set abbinati inferiori a ±1% sull'intero wafer


Qualità, test e conformità

  • Il 100% dei die viene testato in produzione per capacità, fattore di dissipazione, corrente di dispersione e tensione di tenuta dielettrica.
  • Resistenza al trazione del filo tipicamente superiore a 6 gf per filo d'oro da 25 µm, verificata secondo MIL-STD-883 Metodo 2011.7.
  • Classificazione ESD Classe 0 secondo JESD22-A114 (HBM); viene utilizzata una confezione ESD-safe.
  • Sensibilità all'umidità MSL 1 secondo J-STD-020, durata illimitata sul banco se conservato in un armadio asciutto.
  • Conforme RoHS secondo EU 2011/65/EU e (EU) 2015/863, conforme REACH, privo di alogeni secondo IEC 61249-2-21 su richiesta.
  • I file S-parameter, i rapporti di tracciabilità dei lotti e le dichiarazioni sui materiali vengono forniti con ogni lotto di produzione.
  • Sistema di gestione della qualità certificato ISO 9001:2015.


Applicazioni tipiche

  • Disaccoppiamento integrato all'interno di moduli multistrato laminati e LTCC e substrati antenna-in-package
  • Blocco DC per amplificatori di potenza GaN e GaAs, tee di bias e reti di adattamento di impedenza
  • Accoppiamento e bypass interstadio di moduli T/R a phased array
  • Blocchi DC per transceiver ottici per formati modulo 100G, 400G e 800G
  • Circuiti di serbatoio VCO e reti di risonatori di precisione che richiedono un Q piatto
  • Front-end di radar automobilistici e sensori industriali operanti a 76-81 GHz
  • Apparecchiature di test e misurazione che richiedono capacità ripetibile e basso ESL