Detalles de los productos

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Condensadores MOS
Created with Pixso.

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HACC221S50V350
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: T/T, L/C, D/P, D/A
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015, RoHS
Temperatura de funcionamiento:
-55°C a +125°C
Sensibilidad de humedad:
MSL 1 según J-STD-020
Cumplimiento:
RoHS UE 2011/65/UE y (UE) 2015/863, REACH, libre de halógenos IEC 61249-2-21 bajo pedido
Sistema de calidad:
Norma ISO 9001:2015
Cobertura de prueba:
Prueba de troquel 100% para C, DF, fugas y DWV; Parámetro S y trazabilidad de lotes bajo pedido
Rango de personalización:
C 10-1000 pF, 6,3-100 V CC, matriz 0,25-5,0 mm, espesor 50-250 µm
Resaltar:

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

,

Ultra-Thin 90µm SLC Chip

,

Flat High-Q Microwave Capacitor

Descripción de producto

HACC221S50V350 Capacitor MOS Simétrico No Polar de 220 pF, Chip Ultradelgado de 90 µm para Substratos Embebidos

En resumen: el Hoan HACC221S50V350 es un capacitor MOS de capa única de 220 pF ±10%, 50 V CC suministrado como un dado soldable por hilo que mide 0.50 × 0.50 × 0.09 mm. Sus pilas de electrodos superior e inferior son idénticas, por lo que la pieza opera en cualquier dirección sin marca de polaridad. El factor Q es superior a 2000 a 1 MHz y se mantiene por encima de 25 a 10 GHz, la ESL es inferior a 0.04 nH y el perfil total es inferior a 100 µm, lo que permite laminar el dado dentro de construcciones de substrato laminado, poliamida y LTCC. El valor de capacitancia, la clasificación de voltaje, la geometría del dado y la metalización son personalizables.


¿Qué es este producto?

El HACC221S50V350 pertenece a la familia de capacitores MOS de capa única, también descrita en la industria como SLC (capacitor de capa única), capacitor de chip soldable por hilo o capacitor de chip RF MOS. El dispositivo es una estructura planar de metal-óxido-semiconductor: un dieléctrico de SiO2 crecido térmicamente de 300 nm se encuentra entre un electrodo superior de película sputtering y la parte posterior metalizada de un sustrato de silicio de zona flotante de alta resistividad (>1000 Ohm·cm). La corriente fluye verticalmente a través de un camino de aproximadamente 90 µm, sin pila de electrodos interna, sin vías y sin enrutamiento serpentino. Este camino de corriente vertical de capa única es la razón por la que la pieza mantiene un alto Q y una baja inductancia serie equivalente a frecuencias de microondas, donde los capacitores cerámicos multicapa alcanzan la autorresonancia y se vuelven inductivos.



Matriz de personalización

Parámetro Valor estándar Rango personalizado
Capacitancia 220 pF ±10% 10 pF a 1000 pF, ±5% o más estricto bajo pedido
Voltaje nominal 50 V CC Capa única de 6.3 V a 100 V CC
Dieléctrico SiO2 térmico de 300 nm, Clase I Óxido de alta K Clase II o espesor de óxido personalizado
Tamaño del dado 0.50 × 0.50 mm 0.25 × 0.25 mm a 5.0 × 5.0 mm, rectangular hasta 4:1
Grosor del dado 90 µm 50 µm a 250 µm
Metalización superior TaN/TiW/Ni/Au, Au de 2.5 µm Opciones de hasta 5.0 µm de Au, Al o TiW-Au
Metalización posterior TiW-Pt-Au, Au de 1.0 µm Solo Au, preforma AuSn de 3-5 µm, AuGe, plata sinterizada
Tolerancia y coincidencia ±10% Conjuntos coincidentes por debajo del ±1% en toda la oblea


Calidad, pruebas y cumplimiento

  • El 100% de los dados se prueban en producción para capacitancia, factor de disipación, corriente de fuga y voltaje de ruptura dieléctrica.
  • Resistencia a la tracción del hilo de unión típicamente superior a 6 gf para hilo de oro de 25 µm, verificada según MIL-STD-883 Método 2011.7.
  • Clasificación ESD Clase 0 según JESD22-A114 (HBM); se utiliza embalaje ESD seguro en todo momento.
  • Sensibilidad a la humedad MSL 1 según J-STD-020, vida útil ilimitada en el piso cuando se almacena en un gabinete seco.
  • Cumple con RoHS según EU 2011/65/EU y (EU) 2015/863, conforme a REACH, libre de halógenos según IEC 61249-2-21 bajo pedido.
  • Se proporcionan archivos de parámetros S, informes de trazabilidad de lotes y declaraciones de materiales con cada lote de producción.
  • Sistema de gestión de calidad certificado según ISO 9001:2015.


Aplicaciones típicas

  • Desacoplamiento embebido dentro de módulos multichip de laminado y LTCC y substratos de antena en paquete
  • Redes de bloqueo de CC, tee de polarización y adaptación de impedancia para amplificadores de potencia GaN y GaAs
  • Acoplamiento e interconexión entre etapas en módulos T/R de phased array
  • Bloqueos de CC para transceptores ópticos en formatos de módulo de 100G, 400G y 800G
  • Circuitos tanque de VCO y redes de resonadores de precisión que requieren un Q plano
  • Front-ends de radar automotriz y sensores industriales que operan a 76-81 GHz
  • Dispositivos de prueba y medición donde se requiere capacitancia repetible y baja ESL