λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC221S50V350
MOQ: 10 τεμάχια
Όροι πληρωμής: T/T,L/C,D/P,D/A
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55°C έως +125°C
Ευαισθησία υγρασίας:
MSL 1 ανά J-STD-020
Συμμόρφωση:
RoHS EU 2011/65/EU και (EU) 2015/863, REACH, χωρίς αλογόνο IEC 61249-2-21 κατόπιν αιτήματος
Ποιοτικό σύστημα:
ISO 9001:2015
Κάλυψη δοκιμής:
100% δοκιμή καλουπιού για C, DF, διαρροή και DWV. Παράμετρος S και ιχνηλασιμότητα παρτίδας κατόπιν α
Πεδίο προσαρμογής:
C 10-1000pF, 6,3-100V DC, μήτρα 0,25-5,0mm, πάχος 50-250μm
Επισημαίνω:

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

,

Ultra-Thin 90µm SLC Chip

,

Flat High-Q Microwave Capacitor

Περιγραφή προϊόντων

HACC221S50V350 Συμμετρικός Μη-Πολικός Πυκνωτής MOS 220 pF, 90μm Εξαιρετικά Λεπτό Chip για Ενσωματωμένα Υποστρώματα

Με λίγα λόγια: ο Hoan HACC221S50V350 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS 220 pF ±10%, 50 V DC, που παρέχεται ως die για συγκόλληση με σύρμα, διαστάσεων 0,50 × 0,50 × 0,09 mm. Οι άνω και κάτω ηλεκτροδικές στοίβες του είναι πανομοιότυπες, οπότε το εξάρτημα λειτουργεί προς οποιαδήποτε κατεύθυνση χωρίς σήμανση πολικότητας. Ο συντελεστής Q είναι πάνω από 2000 στα 1 MHz και παραμένει πάνω από 25 στα 10 GHz, η ESL είναι κάτω από 0,04 nH και το συνολικό προφίλ είναι κάτω από 100 μm, γεγονός που επιτρέπει στο die να ελασματοποιηθεί μέσα σε ελασματοποιημένα, πολυιμιδικά και LTCC υποστρώματα. Η τιμή χωρητικότητας, η ονομαστική τάση, η γεωμετρία του die και η μεταλλωμένη επιφάνεια είναι προσαρμόσιμες.


Τι είναι αυτό το προϊόν;

Το HACC221S50V350 ανήκει στην οικογένεια μονοστρωματικών πυκνωτών MOS, που περιγράφεται επίσης στη βιομηχανία ως SLC (single layer capacitor), πυκνωτής chip για συγκόλληση με σύρμα ή πυκνωτής chip MOS RF. Η συσκευή είναι μια επίπεδη δομή μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού: ένα θερμικά αναπτυγμένο διηλεκτρικό SiO2 300 nm βρίσκεται ανάμεσα σε έναν άνω ηλεκτροδικό λεπτό υμένιο εναπόθεσης με ψεκασμό και την μεταλλωμένη πίσω όψη ενός υποστρώματος πυριτίου υψηλής αντίστασης (float-zone) (>1000 Ohm·cm). Το ρεύμα ρέει κάθετα μέσω μιας διαδρομής περίπου 90 μm, χωρίς εσωτερική ηλεκτροδική στοίβα, χωρίς vias και χωρίς σερπεντινωτή δρομολόγηση. Αυτή η κάθετη, μονοστρωματική διαδρομή ρεύματος είναι ο λόγος που το εξάρτημα διατηρεί υψηλό Q και χαμηλή ισοδύναμη σειρά αυτεπαγωγής σε μικροκυματικές συχνότητες, όπου οι πολυστρωματικοί κεραμικοί πυκνωτές chip φτάνουν σε αυτοσυντονισμό και γίνονται επαγωγικοί.



Πίνακας προσαρμογής

Παράμετρος Τυπική τιμή Προσαρμόσιμο εύρος
Χωρητικότητα 220 pF ±10% 10 pF έως 1000 pF, ±5% ή αυστηρότερο κατόπιν αιτήματος
Ονομαστική τάση 50 V DC 6,3 V έως 100 V DC μονοστρωματική
Διηλεκτρικό 300 nm θερμικό SiO2, Κλάση I Κλάση II υψηλής-Κ ή προσαρμοσμένο πάχος οξειδίου
Μέγεθος die 0,50 × 0,50 mm 0,25 × 0,25 mm έως 5,0 × 5,0 mm, ορθογώνιο έως 4:1
Πάχος die 90 μm 50 μm έως 250 μm
Άνω μεταλλωμένη επιφάνεια TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 μm Au Έως 5,0 μm Au, επιλογές Al ή TiW-Au
Πίσω μεταλλωμένη επιφάνεια TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au Μόνο Au, προμορφοποιημένο AuSn 3-5 μm, AuGe, πυροσυσσωματωμένο ασήμι
Ανοχή και αντιστοίχιση ±10% Αντιστοιχισμένα σετ κάτω από ±1% σε όλο το wafer


Ποιότητα, δοκιμές και συμμόρφωση

  • 100% των die υποβάλλονται σε δοκιμές παραγωγής για χωρητικότητα, συντελεστή διάχυσης, ρεύμα διαρροής και τάση διηλεκτρικής αντοχής.
  • Αντοχή έλξης συγκόλλησης σύρματος τυπικά πάνω από 6 gf για χρυσό σύρμα 25 μm, επαληθευμένη σύμφωνα με το MIL-STD-883 Μέθοδος 2011.7.
  • Κατάταξη ESD Κλάση 0 σύμφωνα με JESD22-A114 (HBM); χρησιμοποιείται συσκευασία ασφαλείας ESD καθ' όλη τη διάρκεια.
  • Ευαισθησία στην υγρασία MSL 1 σύμφωνα με J-STD-020, απεριόριστος χρόνος ζωής στο δάπεδο όταν αποθηκεύεται σε ξηρό θάλαμο.
  • Συμβατό με RoHS σύμφωνα με EU 2011/65/EU και (EU) 2015/863, συμβατό με REACH, χωρίς αλογόνα σύμφωνα με IEC 61249-2-21 κατόπιν αιτήματος.
  • Παρέχονται αρχεία S-parameter, αναφορές ιχνηλασιμότητας παρτίδας και δηλώσεις υλικών με κάθε παρτίδα παραγωγής.
  • Σύστημα διαχείρισης ποιότητας πιστοποιημένο κατά ISO 9001:2015.


Τυπικές εφαρμογές

  • Ενσωματωμένη αποσύζευξη σε πολυστρωματικά και LTCC τσιπ μονάδες και υποστρώματα κεραίας-σε-πακέτο
  • DC μπλοκάρισμα, bias tee και δίκτυα αντιστοίχισης σύνθετης αντίστασης για ενισχυτές ισχύος GaN και GaAs
  • Σύζευξη και παράκαμψη μεταξύ σταδίων μονάδων T/R φασικής διάταξης
  • DC μπλοκ οπτικών πομποδεκτών για μορφές μονάδων 100G, 400G και 800G
  • Κυκλώματα δεξαμενής VCO και δίκτυα ακριβείας συντονισμού που απαιτούν σταθερό Q
  • Μπροστινά άκρα ραντάρ αυτοκινήτων και βιομηχανικών αισθητήρων που λειτουργούν στα 76-81 GHz
  • Συσκευές δοκιμών και μετρήσεων όπου απαιτείται επαναλήψιμη χωρητικότητα και χαμηλή ESL