Με λίγα λόγια: ο Hoan HACC221S50V350 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS 220 pF ±10%, 50 V DC, που παρέχεται ως die για συγκόλληση με σύρμα, διαστάσεων 0,50 × 0,50 × 0,09 mm. Οι άνω και κάτω ηλεκτροδικές στοίβες του είναι πανομοιότυπες, οπότε το εξάρτημα λειτουργεί προς οποιαδήποτε κατεύθυνση χωρίς σήμανση πολικότητας. Ο συντελεστής Q είναι πάνω από 2000 στα 1 MHz και παραμένει πάνω από 25 στα 10 GHz, η ESL είναι κάτω από 0,04 nH και το συνολικό προφίλ είναι κάτω από 100 μm, γεγονός που επιτρέπει στο die να ελασματοποιηθεί μέσα σε ελασματοποιημένα, πολυιμιδικά και LTCC υποστρώματα. Η τιμή χωρητικότητας, η ονομαστική τάση, η γεωμετρία του die και η μεταλλωμένη επιφάνεια είναι προσαρμόσιμες.
Το HACC221S50V350 ανήκει στην οικογένεια μονοστρωματικών πυκνωτών MOS, που περιγράφεται επίσης στη βιομηχανία ως SLC (single layer capacitor), πυκνωτής chip για συγκόλληση με σύρμα ή πυκνωτής chip MOS RF. Η συσκευή είναι μια επίπεδη δομή μετάλλου-οξειδίου-ημιαγωγού: ένα θερμικά αναπτυγμένο διηλεκτρικό SiO2 300 nm βρίσκεται ανάμεσα σε έναν άνω ηλεκτροδικό λεπτό υμένιο εναπόθεσης με ψεκασμό και την μεταλλωμένη πίσω όψη ενός υποστρώματος πυριτίου υψηλής αντίστασης (float-zone) (>1000 Ohm·cm). Το ρεύμα ρέει κάθετα μέσω μιας διαδρομής περίπου 90 μm, χωρίς εσωτερική ηλεκτροδική στοίβα, χωρίς vias και χωρίς σερπεντινωτή δρομολόγηση. Αυτή η κάθετη, μονοστρωματική διαδρομή ρεύματος είναι ο λόγος που το εξάρτημα διατηρεί υψηλό Q και χαμηλή ισοδύναμη σειρά αυτεπαγωγής σε μικροκυματικές συχνότητες, όπου οι πολυστρωματικοί κεραμικοί πυκνωτές chip φτάνουν σε αυτοσυντονισμό και γίνονται επαγωγικοί.
| Παράμετρος | Τυπική τιμή | Προσαρμόσιμο εύρος |
| Χωρητικότητα | 220 pF ±10% | 10 pF έως 1000 pF, ±5% ή αυστηρότερο κατόπιν αιτήματος |
| Ονομαστική τάση | 50 V DC | 6,3 V έως 100 V DC μονοστρωματική |
| Διηλεκτρικό | 300 nm θερμικό SiO2, Κλάση I | Κλάση II υψηλής-Κ ή προσαρμοσμένο πάχος οξειδίου |
| Μέγεθος die | 0,50 × 0,50 mm | 0,25 × 0,25 mm έως 5,0 × 5,0 mm, ορθογώνιο έως 4:1 |
| Πάχος die | 90 μm | 50 μm έως 250 μm |
| Άνω μεταλλωμένη επιφάνεια | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 μm Au | Έως 5,0 μm Au, επιλογές Al ή TiW-Au |
| Πίσω μεταλλωμένη επιφάνεια | TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au | Μόνο Au, προμορφοποιημένο AuSn 3-5 μm, AuGe, πυροσυσσωματωμένο ασήμι |
| Ανοχή και αντιστοίχιση | ±10% | Αντιστοιχισμένα σετ κάτω από ±1% σε όλο το wafer |
![]()