HACC221S50V350 Capacitor MOS Simétrico Não Polar de 220 pF, Chip Ultra-Fino de 90µm para Substratos Embutidos

Em resumo: o Hoan HACC221S50V350 é um capacitor MOS de camada única de 220 pF ±10%, 50 V DC fornecido como um die soldável por fio medindo 0,50 × 0,50 × 0,09 mm. Seus empilhamentos de eletrodos superior e inferior são idênticos, portanto, a peça opera em qualquer direção sem marcação de polaridade. O fator Q é superior a 2000 a 1 MHz e permanece acima de 25 a 10 GHz, o ESL é inferior a 0,04 nH e o perfil total é inferior a 100 µm, o que permite que o die seja laminado dentro de construções de substrato laminado, polimida e LTCC. O valor da capacitância, a tensão nominal, a geometria do die e a metalização são personalizáveis.

O que é este produto?

O HACC221S50V350 pertence à família de capacitores MOS de camada única, também descrita na indústria como SLC (single layer capacitor), um capacitor chip soldável por fio ou um capacitor chip MOS RF. O dispositivo é uma estrutura planar metal-óxido-semicondutor: um dielétrico de SiO2 crescido termicamente de 300 nm fica entre um eletrodo superior de filme fino pulverizado e a parte traseira metalizada de um substrato de silício de zona flutuante de alta resistividade (>1000 Ohm·cm). A corrente flui verticalmente através de um caminho de cerca de 90 µm, sem empilhamento de eletrodo interno, sem vias e sem roteamento em serpentina. Este caminho de corrente vertical de camada única é a razão pela qual a peça mantém um alto Q e uma baixa indutância série equivalente em frequências de micro-ondas, onde capacitores de chip cerâmicos multicamadas atingem auto-ressonância e se tornam indutivos.

Matriz de personalização

Qualidade, testes e conformidade

• 100% dos dies são testados em produção para capacitância, fator de dissipação, corrente de fuga e tensão de suportabilidade dielétrica.
• Resistência de tração do fio geralmente acima de 6 gf para fio de ouro de 25 µm, verificada de acordo com MIL-STD-883 Método 2011.7.
• Classificação ESD Classe 0 por JESD22-A114 (HBM); embalagem ESD-safe é usada em todo o processo.
• Sensibilidade à umidade MSL 1 por J-STD-020, vida útil ilimitada no piso quando armazenado em um gabinete seco.
• Compatível com RoHS de acordo com EU 2011/65/EU e (EU) 2015/863, em conformidade com REACH, livre de halogênio de acordo com IEC 61249-2-21 mediante solicitação.
• Arquivos S-parameter, relatórios de rastreabilidade de lote e declarações de material são fornecidos com cada lote de produção.
• Sistema de gestão de qualidade certificado ISO 9001:2015.

Aplicações típicas

• Desacoplamento embutido dentro de módulos multicamadas de substrato laminado e LTCC e substratos de antena-no-pacote
• Bloqueio de DC, tee de polarização e redes de casamento de impedância de amplificadores de potência GaN e GaAs
• Acoplamento e bypass inter-estágios de módulos T/R de array de fase
• Bloqueios de DC de transceptores ópticos para formatos de módulo 100G, 400G e 800G
• Circuitos de tanque VCO e redes de ressonadores de precisão que necessitam de Q plano
• Front-ends de radar automotivo e sensores industriais operando a 76-81 GHz
• Dispositivos de teste e medição onde capacitância repetível e baixo ESL são necessários