Kortom:de Hoan HACC221S50V350 is een 220 pF ±10%, 50 V DC enkellagige MOS-capacitor die wordt geleverd als een draadbindende matrijs met een afmeting van 0,50 × 0,50 × 0,09 mm. De bovenste en onderste elektrode stapels zijn identiek,dus het onderdeel werkt in beide richtingen zonder polariteitsmarkeringDe Q-factor is hoger dan 2000 bij 1 MHz en blijft hoger dan 25 bij 10 GHz, de ESL is lager dan 0,04 nH en het totale profiel is lager dan 100 μm, waardoor de matrix in het laminaat kan worden gelaagd,ophopingen van polyimide- en LTCC-substraatDe capaciteitswaarde, de ratingspanning, de geometrie van de matrijzen en de metallisatie kunnen worden aangepast.
De HACC221S50V350 behoort tot de single-layer MOS-capacitorfamilie, die in de industrie ook wordt omschreven als een SLC (single-layer-capacitor), een draadbindende chipcapacitor of een MOS RF-chipcapacitor.Het apparaat is een platte metaal-oxide-halfgeleider structuur: een 300 nm thermisch gegroeide SiO2-dielektrische wordt geplaatst tussen een gespuurde dunne film bovenste elektrode en de gemetalliseerde achterkant van een met hoge weerstand floatzone silicium substraat (> 1000 Ohm·cm).Stroom stroomt verticaal door een pad van ongeveer 90 μmDit is een verticale, met geen interne elektrode stapel, geen vias en geen serpentine routing.enkellagig stroompad is de reden dat het onderdeel een hoge Q en een lage gelijkwaardige reeksinductiviteit bij microgolffrequenties behoudt, waarbij meerlagige keramische chipcondensatoren zelfresonantie bereiken en inductief worden.
| Parameter | Standardwaarde | Aanpassingsbereik |
| Capaciteit | 220 pF ±10% | 10 pF tot 1000 pF, ± 5% of strakker op verzoek |
| Nominale spanning | 50 V gelijkstroom | 6.3 V tot 100 V gelijkstroom enkellaag |
| Dielectrische | 300 nm thermische SiO2, klasse I | Klasse II dikte met hoge K-waarde of op maat gemaakte oxide |
| De grootte van de matras | 00,50 × 0,50 mm | 0.25 × 0,25 mm tot 5,0 × 5,0 mm, rechthoekig tot 4:1 |
| Dikte van de matras | 90 μm | 50 μm tot 250 μm |
| Bovenmetallisering | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 μm Au | tot 5,0 μm Au, Al of TiW-Au opties |
| Metallisatie aan de achterzijde | TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au | Alleen Au, AuSn-prevorm 3-5 μm, AuGe, gesinterd zilver |
| Tolerantie en matching | ± 10% | Geschikte sets van minder dan ±1% over de wafer |
![]()