details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
MOS-condensatoren
Created with Pixso.

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HACC221S50V350
MOQ: 10 stuks
Betalingsvoorwaarden: T/T,L/C,D/P,D/A
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
Shaanxi, China
Certificering:
ISO 9001:2015, RoHS
Bedrijfstemperatuur:
-55°C tot +125°C
Vochtigheidsgevoeligheid:
MSL 1 volgens J-STD-020
Naleving:
RoHS EU 2011/65/EU en (EU) 2015/863, REACH, halogeenvrij IEC 61249-2-21 op aanvraag
Kwaliteitssysteem:
ISO9001:2015
Testdekking:
100% matrijstest voor C, DF, lekkage en DWV; S-parameter en traceerbaarheid van partijen op aanvraag
Aanpassingsbereik:
C 10-1000pF, 6,3-100V DC, matrijs 0,25-5,0 mm, dikte 50-250 µm
Markeren:

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

,

Ultra-Thin 90µm SLC Chip

,

Flat High-Q Microwave Capacitor

Productomschrijving

HACC221S50V350 symmetrische niet-polaire 220 pF MOS-capacitor, 90 μm ultradunne chip voor ingebedde substraten

Kortom:de Hoan HACC221S50V350 is een 220 pF ±10%, 50 V DC enkellagige MOS-capacitor die wordt geleverd als een draadbindende matrijs met een afmeting van 0,50 × 0,50 × 0,09 mm. De bovenste en onderste elektrode stapels zijn identiek,dus het onderdeel werkt in beide richtingen zonder polariteitsmarkeringDe Q-factor is hoger dan 2000 bij 1 MHz en blijft hoger dan 25 bij 10 GHz, de ESL is lager dan 0,04 nH en het totale profiel is lager dan 100 μm, waardoor de matrix in het laminaat kan worden gelaagd,ophopingen van polyimide- en LTCC-substraatDe capaciteitswaarde, de ratingspanning, de geometrie van de matrijzen en de metallisatie kunnen worden aangepast.


Wat is dit voor product?

De HACC221S50V350 behoort tot de single-layer MOS-capacitorfamilie, die in de industrie ook wordt omschreven als een SLC (single-layer-capacitor), een draadbindende chipcapacitor of een MOS RF-chipcapacitor.Het apparaat is een platte metaal-oxide-halfgeleider structuur: een 300 nm thermisch gegroeide SiO2-dielektrische wordt geplaatst tussen een gespuurde dunne film bovenste elektrode en de gemetalliseerde achterkant van een met hoge weerstand floatzone silicium substraat (> 1000 Ohm·cm).Stroom stroomt verticaal door een pad van ongeveer 90 μmDit is een verticale, met geen interne elektrode stapel, geen vias en geen serpentine routing.enkellagig stroompad is de reden dat het onderdeel een hoge Q en een lage gelijkwaardige reeksinductiviteit bij microgolffrequenties behoudt, waarbij meerlagige keramische chipcondensatoren zelfresonantie bereiken en inductief worden.



Aanpassingsmatrix

Parameter Standardwaarde Aanpassingsbereik
Capaciteit 220 pF ±10% 10 pF tot 1000 pF, ± 5% of strakker op verzoek
Nominale spanning 50 V gelijkstroom 6.3 V tot 100 V gelijkstroom enkellaag
Dielectrische 300 nm thermische SiO2, klasse I Klasse II dikte met hoge K-waarde of op maat gemaakte oxide
De grootte van de matras 00,50 × 0,50 mm 0.25 × 0,25 mm tot 5,0 × 5,0 mm, rechthoekig tot 4:1
Dikte van de matras 90 μm 50 μm tot 250 μm
Bovenmetallisering TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 μm Au tot 5,0 μm Au, Al of TiW-Au opties
Metallisatie aan de achterzijde TiW-Pt-Au, 1,0 μm Au Alleen Au, AuSn-prevorm 3-5 μm, AuGe, gesinterd zilver
Tolerantie en matching ± 10% Geschikte sets van minder dan ±1% over de wafer


Kwaliteit, testen en naleving

  • 100% van de matrijzen is geproduceerd op basis van capaciteit, dissipatiefactor, lekstroom en dielectrische weerstandsspanning.
  • "Technologie" voor de "ontwikkeling" of "ontwikkeling" van "technologieën" voor de "ontwikkeling" of "ontwikkeling" van "technologieën" voor de "ontwikkeling" of "ontwikkeling" van "technologieën" voor "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling", "ontwikkeling" of "ontwikkeling".7.
  • ESD-classificatie Klasse 0 per JESD22-A114 (HBM); ESD-veilige verpakkingen worden overal gebruikt.
  • Vochtgevoeligheid MSL 1 per J-STD-020, onbeperkte levensduur bij opslag in een droge kast.
  • RoHS-conform volgens EU 2011/65/EU en (EU) 2015/863, REACH-conform, halogeenvrij volgens IEC 61249-2-21 op aanvraag.
  • Bij elke productiepartij worden S-parameterdossiers, partijtraceerbaarheidrapporten en materiaalverklaringen meegeleverd.
  • Kwaliteitsmanagementsysteem gecertificeerd volgens ISO 9001:2015.


Typische toepassingen

  • Ingebedde ontkoppeling in laminaat- en LTCC-multichipmodules en antenne-in-package-substraten
  • GaN- en GaAs-versterker DC-blokkering, bias tee- en impedantie-matching netwerken
  • Fase-array T/R-module interstadiumkoppeling en -bypass
  • Optische transceiver-DC-blokken voor 100G-, 400G- en 800G-moduleformaten
  • VCO-tankcircuits en precisie-resonatornetwerken waarvoor een platte Q is vereist
  • Voorkanten voor automobielradar en industriële sensoren die werken bij 76-81 GHz
  • Test- en meetinrichtingen waarvoor herhaalde capaciteit en een lage ESL vereist zijn