HACC221S50V350 Симметричный неполярный МОП-конденсатор 220 пФ, ультратонкий чип 90 мкм для встраиваемых подложек

Кратко: Hoan HACC221S50V350 — это однослойный МОП-конденсатор емкостью 220 пФ ±10% на напряжение 50 В постоянного тока, поставляемый в виде кристалла для проволочного монтажа размером 0,50 × 0,50 × 0,09 мм. Его верхний и нижний электродные слои идентичны, поэтому компонент работает в любом направлении без маркировки полярности. Коэффициент добротности превышает 2000 при 1 МГц и остается выше 25 при 10 ГГц, ЭСЛ ниже 0,04 нГн, а общая высота составляет менее 100 мкм, что позволяет встраивать кристалл в ламинатные, полиимидные и LTCC подложки. Значение емкости, номинальное напряжение, геометрия кристалла и металлизация настраиваются.

Что это за продукт?

HACC221S50V350 относится к семейству однослойных МОП-конденсаторов, также известных в отрасли как SLC (однослойные конденсаторы), чип-конденсаторы для проволочного монтажа или МОП ВЧ чип-конденсаторы. Устройство представляет собой планарную металл-оксид-полупроводниковую структуру: диэлектрик SiO2 толщиной 300 нм, выращенный термическим способом, расположен между напыленным тонкопленочным верхним электродом и металлизированной тыльной стороной кремниевой подложки с высоким удельным сопротивлением (>1000 Ом·см). Ток протекает вертикально по пути около 90 мкм, без внутреннего электродного слоя, без переходных отверстий и без змеевидной разводки. Этот вертикальный однослойный путь тока является причиной сохранения высокого коэффициента добротности и низкого эквивалентного последовательного индуктивности на микроволновых частотах, где многослойные керамические чип-конденсаторы достигают саморезонанса и становятся индуктивными.

Матрица кастомизации

Качество, тестирование и соответствие требованиям

• 100% кристаллов проходят производственное тестирование на емкость, коэффициент диэлектрических потерь, ток утечки и напряжение пробоя диэлектрика.
• Прочность на отрыв проволочного соединения обычно выше 6 гс для золотой проволоки 25 мкм, проверено по MIL-STD-883 Метод 2011.7.
• Классификация ESD Класс 0 по JESD22-A114 (HBM); используется ESD-безопасная упаковка.
• Влагочувствительность MSL 1 по J-STD-020, неограниченный срок хранения на полу при хранении в сухом шкафу.
• Соответствие RoHS директивам ЕС 2011/65/EU и (EU) 2015/863, соответствие REACH, без галогенов по IEC 61249-2-21 по запросу.
• Файлы S-параметров, отчеты о прослеживаемости партий и декларации материалов поставляются с каждой производственной партией.
• Система менеджмента качества сертифицирована по ISO 9001:2015.

Типичные применения

• Встроенное развязывание внутри ламинатных и LTCC многочиповых модулей и подложек с антенной в корпусе
• Схемы блокировки постоянного тока, смещения и согласования импеданса усилителей мощности GaN и GaAs
• Связь между каскадами и шунтирование в приемопередающих модулях фазированных антенных решеток
• Блоки постоянного тока оптических трансиверов для форматов модулей 100G, 400G и 800G
• Резонансные контуры VCO и прецизионные резонаторные сети, требующие стабильного коэффициента добротности
• Передние части автомобильных радаров и промышленных датчиков, работающих на частотах 76-81 ГГц
• Измерительные и испытательные приспособления, где требуется повторяемая емкость и низкая ЭСЛ