HACC221S50V350 خازن MOS متماثل غیر قطبی 220 pF، تراشه فوق نازک 90μm برای زیربناهای جاسازی شده

خلاصه:Hoan HACC221S50V350 یک خازن MOS تک لایه ای 220 pF ±10٪، 50 V DC است که به عنوان یک قالب سیم بسته شده با اندازه 0.50 × 0.50 × 0.09 میلی متر عرضه می شود. پشته های الکترود بالا و پایین آن یکسان هستند،بنابراین قطعه در هر دو جهت بدون علامت قطبی کار می کندفاکتور Q بالاتر از 2000 در 1MHz است و بالاتر از 25 در 10GHz باقی می ماند، ESL کمتر از 0.04 nH است و پروفایل کل کمتر از 100 μm است که اجازه می دهد که قالب در داخل لایه لایه ای قرار گیرد،جمع آوری پلی آمید و سبسترات LTCC. ارزش ظرفیت، ولتاژ رتبه بندی، هندسه مرد و فلز سازی قابل سفارشی است.

این محصول چیه؟

HACC221S50V350 متعلق به خانواده خازن های تک لایه MOS است که در صنعت به عنوان SLC (خازن تک لایه) ، خازن تراشه سیم بسته یا خازن تراشه RF MOS توصیف می شود.دستگاه یک ساختار نیمه هادی فلزی است: یک دی الکتریک SiO2 که به صورت حرارتی رشد می کند بین یک الکترود فلزی نازک اسپتر شده و پشت فلزی شده یک بستر سیلیکونی منطقه شناور با مقاومت بالا (> 1000 Ohm · cm) قرار دارد.جریان های فعلی عمودی از طریق یک مسیر حدود 90 μm، بدون استیک الکترود داخلی، بدون ویاس و بدون مسیر مارپیچی. این عمودی،مسیر جریان تک لایه دلیل این است که قطعه Q بالا و یک انژکتور سری معادل پایین در فرکانس های مایکروویو را حفظ می کند، که در آن چند لایه تراشه سرامیکی خازن ها به خود-رایزونانس می رسند و به انطباق تبدیل می شوند.

ماتریس سفارشی سازی

کیفیت، آزمایش و انطباق

• 100٪ از این ماده برای ظرفیت، فاکتور تبعید، جریان نشت و ولتاژ مقاومت دی الکتریک مورد آزمایش قرار گرفته است.
• قدرت کشش اتصال سیم به طور معمول بالاتر از 6 gf برای سیم طلای 25 μm، بر اساس روش MIL-STD-883 2011 تأیید شده است.7.
• طبقه بندی ESD کلاس 0 بر اساس JESD22-A114 (HBM) ؛ بسته بندی ایمن ESD در همه جا استفاده می شود.
• حساسیت به رطوبت MSL 1 در هر J-STD-020، عمر نامحدود در کف زمانی که در یک کابینت خشک نگهداری می شود.
• مطابق با RoHS با EU 2011/65/EU و (EU) 2015/863، مطابق با REACH، بدون هالوجن با IEC 61249-2-21 در صورت درخواست.
• فایل های پارامتر S، گزارش های ردیابی سری و اعلامیه مواد با هر سری تولید ارائه می شود.
• سیستم مدیریت کیفیت گواهینامه ایزو 9001:2015.

کاربردهای معمول

• جداسازی جاسازی شده در داخل ماژول های چند چیپ لمینت و LTCC و سبسترات آنتن در بسته
• GaN و GaAs تقویت کننده قدرت DC مسدود کردن، bias tee و شبکه های تطبیق مقاومت
• ماژول T/R آرایه فازی، اتصال بین مراحل و دور زدن
• بلوک های قطبی قطبی برای قالب های ماژول 100G، 400G و 800G
• مدارهای مخزن VCO و شبکه های رزناتور دقیق که نیاز به Q مسطح دارند
• رادار خودرو و رادار های صنعتی که با سرعت 76-81 گیگاهرتز کار می کنند
• تجهیزات آزمایش و اندازه گیری که ظرفیت تکراری و ESL پایین مورد نیاز است