HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ชื่อแบรนด์: | Hoan |
| หมายเลขรุ่น: | HACC221S50V350 |
| ขั้นต่ำ: | 10 ชิ้น |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T,L/C,D/P,D/A |
กล่าวโดยสรุป: Hoan HACC221S50V350 เป็นตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว 220 pF ±10%, 50 V DC ที่จัดส่งในรูปแบบดายสำหรับต่อสายไฟ มีขนาด 0.50 × 0.50 × 0.09 มม. ขั้วไฟฟ้าด้านบนและด้านล่างเหมือนกัน ดังนั้นจึงทำงานได้ทั้งสองทิศทางโดยไม่มีเครื่องหมายขั้ว Q factor สูงกว่า 2000 ที่ 1 MHz และยังคงสูงกว่า 25 ที่ 10 GHz, ESL ต่ำกว่า 0.04 nH และความหนารวมต่ำกว่า 100 ไมโครเมตร ซึ่งช่วยให้ดายสามารถเคลือบภายในลามิเนต, โพลีอิไมด์ และซับสเตรต LTCC ได้ ค่าความจุ, แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด, รูปทรงดาย และการเคลือบโลหะสามารถปรับแต่งได้
HACC221S50V350 อยู่ในกลุ่มตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว หรือที่เรียกว่า SLC (Single Layer Capacitor), ตัวเก็บประจุแบบชิปต่อสายไฟ หรือตัวเก็บประจุ RF แบบ MOS อุปกรณ์นี้เป็นโครงสร้างแบบระนาบโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำ: ไดอิเล็กทริก SiO2 ที่เติบโตด้วยความร้อน 300 นาโนเมตรอยู่ระหว่างขั้วไฟฟ้าด้านบนแบบสปัตเตอร์และด้านหลังที่เคลือบโลหะของซับสเตรตซิลิคอนแบบ float-zone ที่มีความต้านทานสูง (>1000 โอห์ม·ซม.) กระแสไหลในแนวตั้งผ่านเส้นทางประมาณ 90 ไมโครเมตร โดยไม่มีโครงสร้างขั้วไฟฟ้าภายใน, ไม่มีวิอา และไม่มีการเดินสายแบบคดเคี้ยว เส้นทางการไหลของกระแสแบบชั้นเดียวในแนวตั้งนี้คือเหตุผลที่ชิ้นส่วนนี้รักษา Q factor สูงและค่าความเหนี่ยวนำอนุกรมสมมูลต่ำที่ความถี่ไมโครเวฟ ซึ่งตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้นจะถึงจุดเรโซแนนซ์ตัวเองและกลายเป็นแบบเหนี่ยวนำ
| พารามิเตอร์ | ค่ามาตรฐาน | ช่วงที่ปรับแต่งได้ |
| ความจุ | 220 pF ±10% | 10 pF ถึง 1000 pF, ±5% หรือดีกว่าตามคำขอ |
| แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด | 50 V DC | 6.3 V ถึง 100 V DC แบบชั้นเดียว |
| ไดอิเล็กทริก | 300 nm thermal SiO2, Class I | Class II high-K หรือความหนาออกไซด์ที่ปรับแต่งได้ |
| ขนาดดาย | 0.50 × 0.50 มม. | 0.25 × 0.25 มม. ถึง 5.0 × 5.0 มม., สี่เหลี่ยมผืนผ้าได้ถึง 4:1 |
| ความหนาดาย | 90 ไมโครเมตร | 50 ไมโครเมตร ถึง 250 ไมโครเมตร |
| การเคลือบโลหะด้านบน | TaN/TiW/Ni/Au, 2.5 ไมโครเมตร Au | สูงสุด 5.0 ไมโครเมตร Au, ตัวเลือก Al หรือ TiW-Au |
| การเคลือบโลหะด้านหลัง | TiW-Pt-Au, 1.0 ไมโครเมตร Au | เฉพาะ Au, AuSn preform 3-5 ไมโครเมตร, AuGe, เงินเผาผนึก |
| ความคลาดเคลื่อนและการจับคู่ | ±10% | ชุดที่จับคู่ต่ำกว่า ±1% ทั่วทั้งเวเฟอร์ |
