HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Markenname: | Hoan |
| Modellnummer: | HACC221S50V350 |
| Mindestbestellmenge: | 10 Stück |
| Zahlungsbedingungen: | T/T,L/C,D/P,D/A |
Kurz gesagt:Der Hoan HACC221S50V350 ist ein 220 pF ±10%, 50 V DC einlagiger MOS-Kondensator, der als drahtbondbarer Die mit den Abmessungen 0,50 × 0,50 × 0,09 mm geliefert wird. Seine oberen und unteren Elektrodenstapel sind identisch, sodass das Teil in beiden Richtungen ohne Polaritätskennzeichnung funktioniert. Der Gütefaktor liegt bei 1 MHz über 2000 und bleibt bei 10 GHz über 25, die ESL liegt unter 0,04 nH und das Gesamthöhenprofil liegt unter 100 µm, was es dem Die ermöglicht, in Laminat-, Polyimid- und LTCC-Substrataufbauten laminiert zu werden. Kapazitätswert, Spannungsfestigkeit, Die-Geometrie und Metallisierung sind anpassbar.
Der HACC221S50V350 gehört zur Familie der einlagigen MOS-Kondensatoren, die in der Industrie auch als SLC (Single Layer Capacitor), drahtbondbarer Chip-Kondensator oder MOS-HF-Chip-Kondensator bezeichnet werden. Das Gerät ist eine planare Metall-Oxid-Halbleiterstruktur: ein thermisch gewachsener 300 nm SiO2-Dielektrikum sitzt zwischen einer gesputterten Dünnschicht-Top-Elektrode und der metallisierten Rückseite eines hochohmigen Float-Zone-Siliziumsubstrats (>1000 Ohm·cm). Der Strom fließt vertikal durch einen Pfad von etwa 90 µm, ohne internen Elektrodenstapel, ohne Vias und ohne Serpentinen-Routing. Dieser vertikale, einlagige Strompfad ist der Grund, warum das Teil bei Mikrowellenfrequenzen, bei denen mehrlagige Keramik-Chip-Kondensatoren die Selbstresonanz erreichen und induktiv werden, einen hohen Q-Faktor und eine niedrige äquivalente Serieninduktivität beibehält.
| Parameter | Standardwert | Benutzerdefinierter Bereich |
| Kapazität | 220 pF ±10% | 10 pF bis 1000 pF, ±5% oder enger auf Anfrage |
| Nennspannung | 50 V DC | 6,3 V bis 100 V DC einlagig |
| Dielektrikum | 300 nm thermisches SiO2, Klasse I | Klasse II High-K oder kundenspezifische Oxid-Dicke |
| Die-Größe | 0,50 × 0,50 mm | 0,25 × 0,25 mm bis 5,0 × 5,0 mm, rechteckig bis 4:1 |
| Die-Dicke | 90 µm | 50 µm bis 250 µm |
| Top-Metallisierung | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au | Bis zu 5,0 µm Au, Al oder TiW-Au-Optionen |
| Rückseiten-Metallisierung | TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au | Nur Au, AuSn-Vorformling 3-5 µm, AuGe, gesintertes Silber |
| Toleranz und Abgleich | ±10% | Abgestimmte Sätze unter ±1% über Wafer |
