rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Kondensator MOS
Created with Pixso.

Nama Merek: Hoan
Nomor Model: HACC221S50V350
MOQ: 10 buah
Ketentuan Pembayaran: T/T,L/C,D/P,D/A
Informasi Rinci
Tempat asal:
Shaanxi, Tiongkok
Sertifikasi:
ISO 9001:2015, RoHS
Suhu Operasional:
-55°C hingga +125°C
Sensitivitas Kelembaban:
MSL 1 per J-STD-020
Kepatuhan:
RoHS EU 2011/65/EU dan (EU) 2015/863, REACH, bebas halogen IEC 61249-2-21 berdasarkan permintaan
Sistem kualitas:
ISO 9001:2015
Cakupan Tes:
Uji die 100% untuk C, DF, kebocoran dan DWV; S-parameter dan ketertelusuran lot berdasarkan perminta
Jangkauan kustomisasi:
C 10-1000pF, 6,3-100V DC, mati 0,25-5,0mm, ketebalan 50-250µm
Menyoroti:

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

,

Ultra-Thin 90µm SLC Chip

,

Flat High-Q Microwave Capacitor

Deskripsi Produk

HACC221S50V350 Kapasitor MOS Simetris Non-Polar 220 pF, Chip Ultra-Tipis 90µm untuk Substrat Tertanam

Singkatnya: Hoan HACC221S50V350 adalah kapasitor MOS lapisan tunggal 220 pF ±10%, 50 V DC yang disuplai sebagai die yang dapat diikat kawat berukuran 0,50 × 0,50 × 0,09 mm. Tumpukan elektroda atas dan bawahnya identik, sehingga komponen beroperasi di kedua arah tanpa penandaan polaritas. Faktor Q di atas 2000 pada 1 MHz dan tetap di atas 25 pada 10 GHz, ESL di bawah 0,04 nH dan profil total di bawah 100 µm, yang memungkinkan die dilaminasi di dalam laminasi, poliimida, dan susunan substrat LTCC. Nilai kapasitansi, peringkat tegangan, geometri die, dan metalisasi dapat disesuaikan.


Apa produk ini?

HACC221S50V350 termasuk dalam keluarga kapasitor MOS lapisan tunggal, juga disebut di industri sebagai SLC (single layer capacitor), chip kapasitor yang dapat diikat kawat, atau chip kapasitor RF MOS. Perangkat ini adalah struktur planar metal-oksida-semikonduktor: dielektrik SiO2 yang tumbuh secara termal 300 nm berada di antara elektroda atas film tipis yang disemprot dan bagian belakang substrat silikon zona apung beresistivitas tinggi (>1000 Ohm·cm) yang dimetalisasi. Arus mengalir secara vertikal melalui jalur sekitar 90 µm, tanpa tumpukan elektroda internal, tanpa vias, dan tanpa perutean serpen. Jalur arus vertikal lapisan tunggal ini adalah alasan mengapa komponen mempertahankan Q tinggi dan induktansi seri ekivalen rendah pada frekuensi gelombang mikro, di mana kapasitor chip keramik berlapis-lapis mencapai resonansi mandiri dan menjadi induktif.



Matriks kustomisasi

Parameter Nilai standar Rentang kustom
Kapasitansi 220 pF ±10% 10 pF hingga 1000 pF, ±5% atau lebih ketat berdasarkan permintaan
Tegangan terukur 50 V DC Lapisan tunggal 6,3 V hingga 100 V DC
Dielektrik SiO2 termal 300 nm, Kelas I K-tinggi Kelas II atau ketebalan oksida kustom
Ukuran die 0,50 × 0,50 mm 0,25 × 0,25 mm hingga 5,0 × 5,0 mm, persegi panjang hingga 4:1
Ketebalan die 90 µm 50 µm hingga 250 µm
Metalilasi atas TaN/TiW/Ni/Au, Au 2,5 µm Hingga 5,0 µm Au, opsi Al atau TiW-Au
Metalilasi belakang TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm Hanya Au, pra-bentuk AuSn 3-5 µm, AuGe, perak tersinter
Toleransi dan pencocokan ±10% Set yang cocok di bawah ±1% di seluruh wafer


Kualitas, pengujian, dan kepatuhan

  • 100% die diuji produksi untuk kapasitansi, faktor disipasi, arus bocor, dan tegangan tahan dielektrik.
  • Kekuatan tarik kawat ikatan biasanya di atas 6 gf untuk kawat emas 25 µm, diverifikasi sesuai MIL-STD-883 Metode 2011.7.
  • Klasifikasi ESD Kelas 0 sesuai JESD22-A114 (HBM); pengemasan aman ESD digunakan di seluruh bagian.
  • Sensitivitas kelembaban MSL 1 sesuai J-STD-020, masa pakai di lantai tidak terbatas saat disimpan di kabinet kering.
  • Sesuai RoHS dengan EU 2011/65/EU dan (EU) 2015/863, sesuai REACH, bebas halogen sesuai IEC 61249-2-21 berdasarkan permintaan.
  • File parameter-S, laporan ketertelusuran lot, dan deklarasi material disertakan dengan setiap lot produksi.
  • Sistem manajemen mutu bersertifikat ISO 9001:2015.


Aplikasi tipikal

  • Dekopling tertanam di dalam modul multi-chip laminasi dan LTCC serta substrat antena-dalam-paket
  • Blok DC penguat daya GaN dan GaAs, tee bias, dan jaringan pencocokan impedansi
  • Kopling antar-tahap dan bypass modul T/R susunan bertahap
  • Blok DC transceiver optik untuk format modul 100G, 400G, dan 800G
  • Sirkuit tangki VCO dan jaringan resonator presisi yang membutuhkan Q datar
  • Bagian depan radar otomotif dan sensor industri yang beroperasi pada 76-81 GHz
  • Fixture pengujian dan pengukuran yang membutuhkan kapasitansi berulang dan ESL rendah