Singkatnya: Hoan HACC221S50V350 adalah kapasitor MOS lapisan tunggal 220 pF ±10%, 50 V DC yang disuplai sebagai die yang dapat diikat kawat berukuran 0,50 × 0,50 × 0,09 mm. Tumpukan elektroda atas dan bawahnya identik, sehingga komponen beroperasi di kedua arah tanpa penandaan polaritas. Faktor Q di atas 2000 pada 1 MHz dan tetap di atas 25 pada 10 GHz, ESL di bawah 0,04 nH dan profil total di bawah 100 µm, yang memungkinkan die dilaminasi di dalam laminasi, poliimida, dan susunan substrat LTCC. Nilai kapasitansi, peringkat tegangan, geometri die, dan metalisasi dapat disesuaikan.
HACC221S50V350 termasuk dalam keluarga kapasitor MOS lapisan tunggal, juga disebut di industri sebagai SLC (single layer capacitor), chip kapasitor yang dapat diikat kawat, atau chip kapasitor RF MOS. Perangkat ini adalah struktur planar metal-oksida-semikonduktor: dielektrik SiO2 yang tumbuh secara termal 300 nm berada di antara elektroda atas film tipis yang disemprot dan bagian belakang substrat silikon zona apung beresistivitas tinggi (>1000 Ohm·cm) yang dimetalisasi. Arus mengalir secara vertikal melalui jalur sekitar 90 µm, tanpa tumpukan elektroda internal, tanpa vias, dan tanpa perutean serpen. Jalur arus vertikal lapisan tunggal ini adalah alasan mengapa komponen mempertahankan Q tinggi dan induktansi seri ekivalen rendah pada frekuensi gelombang mikro, di mana kapasitor chip keramik berlapis-lapis mencapai resonansi mandiri dan menjadi induktif.
| Parameter | Nilai standar | Rentang kustom |
| Kapasitansi | 220 pF ±10% | 10 pF hingga 1000 pF, ±5% atau lebih ketat berdasarkan permintaan |
| Tegangan terukur | 50 V DC | Lapisan tunggal 6,3 V hingga 100 V DC |
| Dielektrik | SiO2 termal 300 nm, Kelas I | K-tinggi Kelas II atau ketebalan oksida kustom |
| Ukuran die | 0,50 × 0,50 mm | 0,25 × 0,25 mm hingga 5,0 × 5,0 mm, persegi panjang hingga 4:1 |
| Ketebalan die | 90 µm | 50 µm hingga 250 µm |
| Metalilasi atas | TaN/TiW/Ni/Au, Au 2,5 µm | Hingga 5,0 µm Au, opsi Al atau TiW-Au |
| Metalilasi belakang | TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm | Hanya Au, pra-bentuk AuSn 3-5 µm, AuGe, perak tersinter |
| Toleransi dan pencocokan | ±10% | Set yang cocok di bawah ±1% di seluruh wafer |
![]()