HACC221S50V350 대칭형 비극성 220 pF MOS 커패시터, 임베디드 기판용 90μm 초박형 칩

요약: Hoan HACC221S50V350은 220 pF ±10%, 50 V DC 단일층 MOS 커패시터로, 0.50 × 0.50 × 0.09 mm 크기의 와이어 본딩 가능한 다이로 제공됩니다. 상단 및 하단 전극 스택이 동일하므로 극성 표시 없이 양방향으로 작동합니다. Q 팩터는 1 MHz에서 2000 이상이고 10 GHz에서도 25 이상을 유지하며, ESL은 0.04 nH 미만이고 총 두께는 100 μm 미만이므로 다이를 라미네이트, 폴리이미드 및 LTCC 기판 빌드업 내부에 적층할 수 있습니다. 커패시턴스 값, 전압 정격, 다이 형상 및 금속화는 사용자 정의 가능합니다.

이 제품은 무엇인가요?

HACC221S50V350은 업계에서 SLC(단일층 커패시터), 와이어 본딩 가능한 칩 커패시터 또는 MOS RF 칩 커패시터라고도 불리는 단일층 MOS 커패시터 제품군에 속합니다. 이 장치는 평면 금속-산화물-반도체 구조로, 300 nm 열처리된 SiO2 유전체가 스퍼터링된 박막 상단 전극과 고저항 플로트 존 실리콘 기판(>1000 Ohm·cm)의 금속화된 뒷면 사이에 배치됩니다. 전류는 약 90 μm 경로를 통해 수직으로 흐르며, 내부 전극 스택, 비아 및 뱀 모양 라우팅이 없습니다. 이 수직 단일층 전류 경로는 다층 세라믹 칩 커패시터가 자체 공진에 도달하여 유도성이 되는 마이크로파 주파수에서 높은 Q와 낮은 등가 직렬 인덕턴스를 유지하는 이유입니다.

사용자 정의 매트릭스

품질, 테스트 및 규정 준수

• 모든 다이는 커패시턴스, 손실 계수, 누설 전류 및 유전체 내전압에 대해 생산 테스트를 거칩니다.
• 25 μm 금 와이어의 경우 일반적으로 6 gf 이상의 와이어 본드 인장 강도, MIL-STD-883 방법 2011.7에 따라 검증됨.
• ESD 분류 Class 0 (HBM) JESD22-A114 기준; ESD 안전 포장이 전체적으로 사용됩니다.
• 습기 민감도 MSL 1 (J-STD-020 기준), 건조 캐비닛에 보관 시 무제한 플로어 수명.
• RoHS 준수 (EU 2011/65/EU 및 (EU) 2015/863), REACH 준수, 요청 시 할로겐 프리 (IEC 61249-2-21 기준).
• S-파라미터 파일, 로트 추적 보고서 및 재료 선언은 각 생산 로트와 함께 제공됩니다.
• ISO 9001:2015 인증 품질 경영 시스템.

일반적인 응용 분야

• 라미네이트 및 LTCC 멀티칩 모듈 및 안테나 인 패키지 기판 내 임베디드 디커플링
• GaN 및 GaAs 전력 증폭기 DC 차단, 바이어스 티 및 임피던스 매칭 네트워크
• 위상 배열 T/R 모듈 중간단 커플링 및 바이패스
• 100G, 400G 및 800G 모듈 형식용 광 트랜시버 DC 블록
• 평탄한 Q가 필요한 VCO 탱크 회로 및 정밀 공진기 네트워크
• 76-81 GHz에서 작동하는 자동차 레이더 및 산업 센싱 프론트 엔드
• 반복 가능한 커패시턴스와 낮은 ESL이 필요한 테스트 및 측정 장비