Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
MOS Kapasitörler
Created with Pixso.

Marka Adı: Hoan
Model Numarası: HACC221S50V350
Adedi: 10 Adet
Ödeme Koşulları: T/T,L/C,D/P,D/A
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Şaanksi, Çin
Sertifika:
ISO 9001:2015, RoHS
Çalışma Sıcaklığı:
-55°C ila +125°C
Nem Hassasiyeti:
J-STD-020'ye göre MSL 1
Uyumluluk:
RoHS EU 2011/65/EU ve (EU) 2015/863, REACH, halojensiz IEC 61249-2-21 talep üzerine
Kalite sistemi:
ISO 9001:2015
Test Kapsamı:
C, DF, sızıntı ve DWV için %100 kalıp testi; Talep üzerine S parametresi ve parti izlenebilirliği
Özelleştirme Aralığı:
C 10-1000pF, 6,3-100V DC, kalıp 0,25-5,0 mm, kalınlık 50-250 µm
Vurgulamak:

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

,

Ultra-Thin 90µm SLC Chip

,

Flat High-Q Microwave Capacitor

Ürün Tanımı

HACC221S50V350 Simetrik Polar Olmayan 220 pF MOS Kapasitör, Gömülü Alt Katmanlar İçin 90µm Ultra-İnce Çip

Kısaca: Hoan HACC221S50V350, 0.50 × 0.50 × 0.09 mm boyutlarında bir tel bağlama kalıbı olarak sunulan 220 pF ±%10, 50 V DC tek katmanlı MOS kapasitördür. Üst ve alt elektrot yığınları aynıdır, bu nedenle parça polarite işareti olmadan her iki yönde de çalışır. Q faktörü 1 MHz'de 2000'in üzerindedir ve 10 GHz'de 25'in üzerinde kalır, ESL 0.04 nH'nin altındadır ve toplam profil 100 µm'nin altındadır, bu da kalıbın lamine, poliimid ve LTCC alt katman yapılarının içine lamine edilmesine olanak tanır. Kapasitans değeri, voltaj derecesi, kalıp geometrisi ve metalizasyon özelleştirilebilir.


Bu ürün nedir?

HACC221S50V350, sektörde SLC (tek katmanlı kapasitör), tel bağlama çip kapasitörü veya MOS RF çip kapasitörü olarak da tanımlanan tek katmanlı MOS kapasitör ailesine aittir. Cihaz, düzlemsel bir metal-oksit-yarı iletken yapıdır: 300 nm termal olarak büyütülmüş SiO2 dielektrik, püskürtülmüş ince film üst elektrot ile yüksek dirençli float-zone silikon alt katmanın ( >1000 Ohm·cm) metalize arka yüzü arasında yer alır. Akım, yaklaşık 90 µm'lik bir yol boyunca dikey olarak akar, dahili elektrot yığını, geçitler ve sarmal yönlendirme yoktur. Bu dikey, tek katmanlı akım yolu, parçanın mikro dalga frekanslarında yüksek Q ve düşük eşdeğer seri endüktans tutmasının nedenidir; burada çok katmanlı seramik çip kapasitörleri kendi kendine rezonansa ulaşır ve endüktif hale gelir.



Özelleştirme matrisi

Parametre Standart değer Özel aralık
Kapasitans 220 pF ±%10 10 pF ila 1000 pF, istek üzerine ±%5 veya daha sıkı
Anma gerilimi 50 V DC 6.3 V ila 100 V DC tek katmanlı
Dielektrik 300 nm termal SiO2, Sınıf I Sınıf II yüksek-K veya özel oksit kalınlığı
Kalıp boyutu 0.50 × 0.50 mm 0.25 × 0.25 mm ila 5.0 × 5.0 mm, 4:1'e kadar dikdörtgen
Kalıp kalınlığı 90 µm 50 µm ila 250 µm
Üst metalizasyon TaN/TiW/Ni/Au, 2.5 µm Au 5.0 µm'ye kadar Au, Al veya TiW-Au seçenekleri
Arka yüz metalizasyonu TiW-Pt-Au, 1.0 µm Au Yalnızca Au, AuSn ön kalıplama 3-5 µm, AuGe, sinterlenmiş gümüş
Tolerans ve eşleştirme ±%10 Wafer genelinde ±%1'in altında eşleştirilmiş setler


Kalite, test ve uyumluluk

  • Kalıpların %100'ü kapasitans, dağılım faktörü, kaçak akım ve dielektrik dayanım gerilimi için üretim testinden geçirilir.
  • Tel bağlama çekme mukavemeti tipik olarak 25 µm altın tel için 6 gf'nin üzerindedir, MIL-STD-883 Yöntem 2011.7'ye göre doğrulanmıştır.
  • JESD22-A114'e (HBM) göre ESD sınıflandırması Sınıf 0; ESD-güvenli paketleme kullanılır.
  • J-STD-020'ye göre nem hassasiyeti MSL 1, kuru kabinde saklandığında sınırsız zemin ömrü.
  • AB 2011/65/AB ve (AB) 2015/863'e göre RoHS uyumlu, REACH uyumlu, istek üzerine IEC 61249-2-21'e göre halojensiz.
  • S-parametre dosyaları, parti izlenebilirlik raporları ve malzeme beyanları her üretim partisiyle birlikte verilir.
  • ISO 9001:2015 sertifikalı kalite yönetim sistemi.


Tipik uygulamalar

  • Laminat ve LTCC çoklu çip modülleri ve paket içi anten alt katmanlarında gömülü ayırma
  • GaN ve GaAs güç amplifikatörü DC engelleme, besleme tee ve empedans eşleştirme ağları
  • Faz dizili T/R modülü ara kademe kuplajı ve baypas
  • 100G, 400G ve 800G modül formatları için optik alıcı-verici DC blokları
  • Düz Q gerektiren VCO tank devreleri ve hassas rezonatör ağları
  • 76-81 GHz'de çalışan otomotiv radar ve endüstriyel algılama ön uçları
  • Tekrarlanabilir kapasitans ve düşük ESL gerektiren test ve ölçüm armatürleri