W skrócie: Hoan HACC221S50V350 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 220 pF ±10%, 50 V DC, dostarczany jako kostka do lutowania drutowego o wymiarach 0,50 × 0,50 × 0,09 mm. Górny i dolny stos elektrod są identyczne, dzięki czemu element działa w obu kierunkach bez oznaczenia polaryzacji. Współczynnik Q wynosi powyżej 2000 przy 1 MHz i pozostaje powyżej 25 przy 10 GHz, ESL jest poniżej 0,04 nH, a całkowity profil poniżej 100 µm, co pozwala na laminowanie kostki wewnątrz laminatów, polimidów i podłoży LTCC. Wartość pojemności, napięcie znamionowe, geometria kostki i metalizacja są konfigurowalne.
HACC221S50V350 należy do rodziny jednowarstwowych kondensatorów MOS, znanych również w branży jako SLC (single layer capacitor), chipowe kondensatory do lutowania drutowego lub chipowe kondensatory MOS RF. Urządzenie jest planarne, metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowe: dielektryk SiO2 o grubości 300 nm, narastający termicznie, znajduje się między napylaną cienką warstwą elektrody górnej a metalizowanym spodem podłoża krzemowego o wysokiej rezystywności typu float-zone (>1000 Ohm·cm). Prąd przepływa pionowo przez ścieżkę o grubości około 90 µm, bez wewnętrznego stosu elektrod, bez przelotek i bez tras serpentynowych. Ta pionowa, jednowarstwowa ścieżka prądowa jest powodem, dla którego element zachowuje wysokie Q i niską indukcyjność szeregową przy częstotliwościach mikrofalowych, gdzie wielowarstwowe ceramiczne kondensatory chipowe osiągają samorezonans i stają się indukcyjne.
| Parametr | Wartość standardowa | Zakres niestandardowy |
| Pojemność | 220 pF ±10% | 10 pF do 1000 pF, ±5% lub dokładniej na życzenie |
| Napięcie znamionowe | 50 V DC | 6,3 V do 100 V DC jednowarstwowe |
| Dielektryk | 300 nm termiczny SiO2, klasa I | Klasa II high-K lub niestandardowa grubość tlenku |
| Rozmiar kostki | 0,50 × 0,50 mm | 0,25 × 0,25 mm do 5,0 × 5,0 mm, prostokątne do 4:1 |
| Grubość kostki | 90 µm | 50 µm do 250 µm |
| Metalizacja górna | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au | Do 5,0 µm Au, opcje Al lub TiW-Au |
| Metalizacja tylna | TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au | Tylko Au, wstępne pokrycie AuSn 3-5 µm, AuGe, spiekana srebro |
| Tolerancja i dopasowanie | ±10% | Dopasowane zestawy poniżej ±1% w całym waflu |
![]()