szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC221S50V350
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: T/T, L/C, D/P, D/A
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
Wrażliwość na wilgoć:
MSL 1 według J-STD-020
Zgodność:
RoHS UE 2011/65/UE i (UE) 2015/863, REACH, bezhalogenowy IEC 61249-2-21 na żądanie
System jakości:
ISO 9001:2015
Zasięg testowy:
100% test matrycy dla C, DF, wycieków i DWV; Możliwość śledzenia parametrów S i partii na żądanie
Zakres dostosowywania:
C 10-1000pF, 6,3-100V DC, matryca 0,25-5,0mm, grubość 50-250µm
Podkreślić:

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

,

Ultra-Thin 90µm SLC Chip

,

Flat High-Q Microwave Capacitor

Opis produktu

HACC221S50V350 Symetryczny Bezpolaryzacyjny Kondensator MOS 220 pF, ultracienki chip 90µm do podłoży wbudowanych

W skrócie: Hoan HACC221S50V350 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 220 pF ±10%, 50 V DC, dostarczany jako kostka do lutowania drutowego o wymiarach 0,50 × 0,50 × 0,09 mm. Górny i dolny stos elektrod są identyczne, dzięki czemu element działa w obu kierunkach bez oznaczenia polaryzacji. Współczynnik Q wynosi powyżej 2000 przy 1 MHz i pozostaje powyżej 25 przy 10 GHz, ESL jest poniżej 0,04 nH, a całkowity profil poniżej 100 µm, co pozwala na laminowanie kostki wewnątrz laminatów, polimidów i podłoży LTCC. Wartość pojemności, napięcie znamionowe, geometria kostki i metalizacja są konfigurowalne.


Co to za produkt?

HACC221S50V350 należy do rodziny jednowarstwowych kondensatorów MOS, znanych również w branży jako SLC (single layer capacitor), chipowe kondensatory do lutowania drutowego lub chipowe kondensatory MOS RF. Urządzenie jest planarne, metalowo-tlenkowo-półprzewodnikowe: dielektryk SiO2 o grubości 300 nm, narastający termicznie, znajduje się między napylaną cienką warstwą elektrody górnej a metalizowanym spodem podłoża krzemowego o wysokiej rezystywności typu float-zone (>1000 Ohm·cm). Prąd przepływa pionowo przez ścieżkę o grubości około 90 µm, bez wewnętrznego stosu elektrod, bez przelotek i bez tras serpentynowych. Ta pionowa, jednowarstwowa ścieżka prądowa jest powodem, dla którego element zachowuje wysokie Q i niską indukcyjność szeregową przy częstotliwościach mikrofalowych, gdzie wielowarstwowe ceramiczne kondensatory chipowe osiągają samorezonans i stają się indukcyjne.



Macierz personalizacji

Parametr Wartość standardowa Zakres niestandardowy
Pojemność 220 pF ±10% 10 pF do 1000 pF, ±5% lub dokładniej na życzenie
Napięcie znamionowe 50 V DC 6,3 V do 100 V DC jednowarstwowe
Dielektryk 300 nm termiczny SiO2, klasa I Klasa II high-K lub niestandardowa grubość tlenku
Rozmiar kostki 0,50 × 0,50 mm 0,25 × 0,25 mm do 5,0 × 5,0 mm, prostokątne do 4:1
Grubość kostki 90 µm 50 µm do 250 µm
Metalizacja górna TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au Do 5,0 µm Au, opcje Al lub TiW-Au
Metalizacja tylna TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au Tylko Au, wstępne pokrycie AuSn 3-5 µm, AuGe, spiekana srebro
Tolerancja i dopasowanie ±10% Dopasowane zestawy poniżej ±1% w całym waflu


Jakość, testowanie i zgodność

  • 100% kostek jest testowanych produkcyjnie pod kątem pojemności, współczynnika stratności, prądu upływu i napięcia przebicia dielektryka.
  • Wytrzymałość na rozciąganie drutu wiązanego zazwyczaj powyżej 6 gf dla drutu złotego 25 µm, weryfikowana zgodnie z MIL-STD-883 Metoda 2011.7.
  • Klasyfikacja ESD Klasa 0 zgodnie z JESD22-A114 (HBM); stosowane jest opakowanie ESD-safe.
  • Wrażliwość na wilgoć MSL 1 zgodnie z J-STD-020, nieograniczony czas przechowywania na podłodze po przechowywaniu w suchym gabinecie.
  • Zgodność z RoHS zgodnie z EU 2011/65/EU i (EU) 2015/863, zgodność z REACH, bezhalogenowe zgodnie z IEC 61249-2-21 na życzenie.
  • Pliki parametrów S, raporty identyfikowalności partii i deklaracje materiałowe są dostarczane z każdą partią produkcyjną.
  • System zarządzania jakością certyfikowany zgodnie z ISO 9001:2015.


Typowe zastosowania

  • Wbudowane odsprzęganie wewnątrz modułów wieloukładowych z laminatu i LTCC oraz podłoży antenowych w obudowie
  • Sieci blokowania DC, tee bias i dopasowania impedancji wzmacniaczy mocy GaN i GaAs
  • Sprzężenie międzyfazowe i obejście w modułach T/R z szykiem fazowanym
  • Blokady DC w transceiverach optycznych dla formatów modułów 100G, 400G i 800G
  • Obwody rezonansowe VCO i precyzyjne sieci rezonatorów wymagające płaskiego Q
  • Przednie końce radarów samochodowych i czujników przemysłowych pracujące w zakresie 76-81 GHz
  • Przyrządy pomiarowe i testowe wymagające powtarzalnej pojemności i niskiego ESL