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Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Hoan
Número De Modelo:	HACC471S50V500
Cantidad Mínima De Pedido:	10 piezas
Condiciones De Pago:	LC, D/A, D/P, T/T

Información detallada

Descripción de producto

Información detallada

Lugar de origen:

Shaanxi, China

Certificación:

ISO 9001:2015, RoHS

Factor Q a 1GHz:

>300

Dimensiones de los chips:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Metalización superior:

TiW (100 nm) + Au (2,5 µm mín.)

Metalización trasera:

TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm mín.

Tipo de montaje:

Fijación de matriz eutéctica / adherible con alambre

Temperatura de funcionamiento:

-55°C a +125°C

Personalización:

10pF-1000pF, matriz rectangular, electrodo con borde, parte posterior flotante

Resaltar:

MOS capacitor 470 pF 50V

single layer chip RF amplifier

HACC471S50V500 microphonic suppression capacitor

Descripción de producto

Microphonic Phase Modulation Control MOS Capacitor — HACC471S50V500 Definition: The HACC471S50V500 is a 470 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor built on a float-zone silicon substrate (>1000 Ω·cm) with a 300 nm thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for RF power amplifier bias networks, DC blocking, and impedance matching where vibration-induced phase modulation and microphonic noise must be controlled. Quick answer — at a glance What it is: single-layer MOS

Etiquetas:

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