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Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC471S50V500
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Q-Faktor bei 1 GHz:

>300

Chipabmessungen:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Top-Metallisierung:

TiW (100 nm) + Au (mindestens 2,5 µm)

Rückseitenmetallisierung:

TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm min

Montageart:

Drahtbondbare/eutektische Die-Befestigung

Betriebstemperatur:

-55°C bis +125°C

Anpassung:

10pF-1000pF, rechteckiger Chip, umrandete Elektrode, schwimmende Rückseite

Hervorheben:

MOS capacitor 470 pF 50V

single layer chip RF amplifier

HACC471S50V500 microphonic suppression capacitor

Produkt-Beschreibung

Microphonic Phase Modulation Control MOS Capacitor — HACC471S50V500 Definition: The HACC471S50V500 is a 470 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor built on a float-zone silicon substrate (>1000 Ω·cm) with a 300 nm thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for RF power amplifier bias networks, DC blocking, and impedance matching where vibration-induced phase modulation and microphonic noise must be controlled. Quick answer — at a glance What it is: single-layer MOS

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren