Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХАСС471С50В500
минимальный заказ: 10 шт.
Условия оплаты: Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015, RoHS
Q-фактор @ 1 ГГц:
>300
Размеры чипа:
0,50 × 0,50 × 0,15 мм
Топ Металлизация:
TiW (100 нм) + Au (2,5 мкм мин)
Задняя металлизация:
TiW-Pt-Au, Au 1,0 мкм мин.
Тип монтажа:
Крепление проволочной/эвтектической матрицы
Рабочая температура:
от -55°С до +125°С
Кастомизация:
10пФ-1000пФ, прямоугольная матрица, электрод с окантовкой, плавающая задняя сторона
Выделить:

MOS capacitor 470 pF 50V

,

single layer chip RF amplifier

,

HACC471S50V500 microphonic suppression capacitor

Характер продукции
Microphonic Phase Modulation Control MOS Capacitor — HACC471S50V500 Definition: The HACC471S50V500 is a 470 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor built on a float-zone silicon substrate (>1000 Ω·cm) with a 300 nm thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for RF power amplifier bias networks, DC blocking, and impedance matching where vibration-induced phase modulation and microphonic noise must be controlled. Quick answer — at a glance What it is: single-layer MOS