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Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC471S50V500
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC471S50V500
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Fator Q @ 1 GHz:

>300

Dimensões do chip:

0,50 × 0,50 × 0,15 mm

Metalização Superior:

TiW (100 nm) + Au (2,5 µm min)

Metalização traseira:

TiW-Pt-Au, Au 1,0 µm min

Tipo de montagem:

Fixação de matriz eutética/fio ligável

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

Personalização:

10pF-1000pF, matriz retangular, eletrodo com borda, parte traseira flutuante

Destacar:

MOS capacitor 470 pF 50V

single layer chip RF amplifier

HACC471S50V500 microphonic suppression capacitor

Descrição do produto

Microphonic Phase Modulation Control MOS Capacitor — HACC471S50V500 Definition: The HACC471S50V500 is a 470 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor built on a float-zone silicon substrate (>1000 Ω·cm) with a 300 nm thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for RF power amplifier bias networks, DC blocking, and impedance matching where vibration-induced phase modulation and microphonic noise must be controlled. Quick answer — at a glance What it is: single-layer MOS

Etiquetas:

Capacitores MOS de Prototipagem Rápida, Personalização Flexível, Capacitor de 10 pF, Cadeia de Suprimentos Ecológica, Chip em Conformidade

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