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MOSキャパシタ
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Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Microphonic Suppression MOS Capacitor HACC471S50V500 470 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

ブランド名: Hoan
モデル番号: HACC471S50V500
MOQ: 10個
支払い条件: L/C、D/A、D/P、T/T
詳細情報
起源の場所:
陝西省、中国
証明:
ISO 9001:2015, RoHS
Qファクター @ 1GHz:
>300
チップ寸法:
0.50×0.50×0.15mm
上部のメタライゼーション:
TiW (100nm) + Au (2.5μm以上)
裏面メタライゼーション:
TiW-Pt-Au、Au 1.0μm以上
取付タイプ:
ワイヤーボンディング可能/共晶ダイアタッチ可能
動作温度:
-55℃~+125℃
カスタマイズ:
10pF~1000pF、長方形ダイ、縁付き電極、フローティング裏面
ハイライト:

MOS capacitor 470 pF 50V

,

single layer chip RF amplifier

,

HACC471S50V500 microphonic suppression capacitor

製品の説明
Microphonic Phase Modulation Control MOS Capacitor — HACC471S50V500 Definition: The HACC471S50V500 is a 470 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor built on a float-zone silicon substrate (>1000 Ω·cm) with a 300 nm thermally grown SiO2 dielectric. It is designed for RF power amplifier bias networks, DC blocking, and impedance matching where vibration-induced phase modulation and microphonic noise must be controlled. Quick answer — at a glance What it is: single-layer MOS